电子与封装2022，Vol.22Issue(12) ：85-93.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1208

高温SOI技术的发展现状和前景

Development Status and Prospects of High-Temperature SOI Technology

罗宁胜 曹建武
电子与封装2022，Vol.22Issue(12) ：85-93.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1208
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高温SOI技术的发展现状和前景

Development Status and Prospects of High-Temperature SOI Technology

罗宁胜 1曹建武1
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作者信息

  • 1. CISSOID中国代表处,广东深圳 518118
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摘要

高温绝缘层上硅(SOI)技术突破了体硅半导体器件的高温困境,已被广泛应用于石油天然气钻探、航空航天和国防装备等尖端领域.近年来,第三代宽禁带半导体功率器件已日趋成熟和普及,其中SiC器件以其先天的耐高压、耐高温等特性,与高温SOI器件是非常理想的搭配,适用于原本体硅半导体功率器件难以实现或根本不能想象的应用场景,为系统应用设计者提供了全新的拓展空间.在简述体硅半导体器件高温困境的基础上,综述了高温SOI技术的发展现况,并探讨了其未来的发展方向和应用前景.

关键词

体硅/绝缘层上硅/SiC/高温SOI技术

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出版年

2022
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所

电子与封装

影响因子：0.206
ISSN：1681-1070
被引量2
参考文献量1
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