电子工业专用设备2024,Vol.53Issue(1) :30-33.

碳化硅长晶工艺中压力控制系统设计

Design of Pressure Control System in Silicon Carbide Growth Process

王宏杰 靳丽岩 李林高 王飞龙
电子工业专用设备2024,Vol.53Issue(1) :30-33.

碳化硅长晶工艺中压力控制系统设计

Design of Pressure Control System in Silicon Carbide Growth Process

王宏杰 1靳丽岩 1李林高 1王飞龙1
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作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第二研究所,山西 太原 030024
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摘要

通过对碳化硅晶体生长设备和工艺研究,提出压力稳定性对碳化硅晶体生长质量的重要性,经过对不同压力下控制方式的分析比较,提出了一种稳定的压力控制系统方法,并经过实践验证满足碳化硅晶体生长的工艺稳定性要求.

Abstract

Through the research of silicon carbide crystal growth equipment and technology,the impor-tance of pressure stability to the quality of silicon carbide crystal growth is put forward.Through the analysis and comparison of different pressure control methods,a stable pressure control system method is proposed,and it meets the requirements of process stability of silicon carbide crystal growth through practice.

关键词

碳化硅/晶体生长/压力控制

Key words

Silicon carbide/Crystal growth/Pressure control

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出版年

2024
电子工业专用设备
中国电子科技集团公司第四十五研究所

电子工业专用设备

影响因子:0.157
ISSN:1004-4507
参考文献量1
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