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氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用

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采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点.通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响.实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能.HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96％.此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83％.
Optical Properties of InP/GaP/ZnS Quantum Dots Processed with Hydrofluoric Acid and Their Application in Light Emitting Diodes

HFInP/GaP/ZnS quantum dotoptical performancelight emitting diode

陈晓丽、陈佩丽、卢思、朱艳青、徐雪青、苏秋成

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中国科学院广州能源研究所, 广东广州 510640

HF InP/GaP/ZnS量子点 光学性能 发光二极管

广东省基金与应用基础研究基金项目广东省省级科技计划项目中国科学院技术支撑人才项目

2023A15150103452023A0505010003E329850301

2024

10.37188/CJL.20230243

发光学报
中国物理学会发光分会,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发光学报

CSTPCD北大核心
影响因子：1.301
ISSN：1000-7032
年,卷(期)：2024.45(1)
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