发光学报2024，Vol.45Issue(1) ：69-77.DOI:10.37188/CJL.20230243

氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用

Optical Properties of InP/GaP/ZnS Quantum Dots Processed with Hydrofluoric Acid and Their Application in Light Emitting Diodes

陈晓丽 陈佩丽 卢思 朱艳青 徐雪青 苏秋成
发光学报2024，Vol.45Issue(1) ：69-77.DOI:10.37188/CJL.20230243
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氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用

Optical Properties of InP/GaP/ZnS Quantum Dots Processed with Hydrofluoric Acid and Their Application in Light Emitting Diodes

陈晓丽 1陈佩丽 1卢思 1朱艳青 1徐雪青 1苏秋成1
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作者信息

  • 1. 中国科学院广州能源研究所, 广东广州 510640
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摘要

采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点.通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响.实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能.HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96％.此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83％.

关键词

HF/InP/GaP/ZnS量子点/光学性能/发光二极管

Key words

HF/InP/GaP/ZnS quantum dot/optical performance/light emitting diode

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基金项目

广东省基金与应用基础研究基金项目(2023A1515010345)

广东省省级科技计划项目(2023A0505010003)

中国科学院技术支撑人才项目(E329850301)

出版年

2024
发光学报
中国物理学会发光分会,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发光学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：1.301
ISSN：1000-7032
参考文献量6
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