基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管
AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes on Separated Multiple Quantum Barrier Electron Blocking Layer
申国文 1鲁麟 1许福军 2吕琛 1高文根 1代广珍1
作者信息
- 1. 安徽工程大学 高端装备先进感知与智能控制教育部重点实验室,安徽 芜湖 241000;安徽工程大学 电气工程学院,安徽 芜湖 241000
- 2. 北京大学物理学院 宽禁带半导体研究中心,北京 100871
- 折叠
摘要
通过分离多量子垒电子阻挡层(EBL)结构,实现了AlGaN基DUV-LED器件性能的提升.由仿真结果可得,与传统的块状EBL相比,采用分离多量子垒结构的EBL可以获得更高的空穴浓度和辐射复合速率.这得益于EBL中间的夹层形成了空穴加速区,使得空穴在加速区获得能量,从而提高了空穴注入效率.另外,多量子势垒结构还能够通过提高电子势垒有效抑制电子泄漏,从而大幅度提升器件性能.综上所述,多量子垒电子阻挡层的引入可以显著提升AlGaN基DUV-LED器件的性能.
Abstract
Separated multiple quantum barrier electron blocking layer(EBL)have been investigated to improve the performance of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes(DUV-LEDs)with the wavelength shorter than 250 nm.It is confirmed that the DUV-LEDs with separated multi-quantum barriers EBL contribute to a much higher hole concentration and radiative recombination rate than the conventional block EBL configuration.Due to the forma-tion of a hole acceleration zone by the separation interlayer in the EBL,the hole injection efficiency is significantly in-creased.Meanwhile,the multi-quantum barrier sample suppresses the electron leakage through raised electron barri-er,thus significantly improves the device performance.
关键词
AlGaN/深紫外发光二极管/电子阻挡层Key words
AlGaN/deep ultraviolet light-emitting diodes/electron blocking layer引用本文复制引用
基金项目
国家自然科学基金(61306108)
教育部留学回国人员科研启动基金(2013693)
安徽工程大学拔尖人才计划(20190508)
出版年
2024
国家科技期刊平台
NSTL
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