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高功率1150nm垂直外腔面发射半导体激光器

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针对目前激光医疗、食品药品检测等领域对橙黄色激光的应用需求,开展了高功率基频光1 150 nm垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)研究.提出激光谐振腔内大尺寸基模光斑外腔结构,使VECSEL腔内模式匹配较大泵浦光斑尺寸,实现了高功率激光输出;提出增益峰-腔模失谐结构,增益峰与腔模温漂系数不同,高泵浦功率下具有良好的增益峰-腔模匹配,实现高泵浦功率工作下的激光波长稳定控制.制备的VECSEL器件在1 150 nm激光波长的输出功率达到9.38 W,并获得良好的圆形对称的输出光斑形貌,光斑在正交方向上的发散角分别为7.3°和7.5°.
High Power 1 150 nm Vertical External-cavity Surface Emitting Semiconductor Laser
Aiming at the application requirements of orange-yellow laser in the fields of laser medicine,food and drug detection,we have carried out research on high-power fundamental frequency 1 150 nm vertical external cavity surface emitting semiconductor laser(VECSEL).In this paper,a large-size fundamental mode spot external cavity structure in the laser resonant cavity is proposed to make the VECSEL cavity mode match the larger pump spot size to achieve high-power laser output.The gain peak-cavity mode detuning structure is proposed.The gain peak is differ-ent from the temperature drift coefficient of the cavity mode.The gain peak-cavity mode matching is good at high pump power,and the laser wavelength stability control under high pump power is realized.The output power of the VECSEL device prepared by us reaches 9.38 W at the laser wavelength of 1 150 nm,and a good circular symmetri-cal output spot morphology is obtained.The divergence angles of the spot in the orthogonal direction are 7.3° and 7.5°,respectively.

semiconductor laservertical external cavity surface emitting semicondctor laser(VECSEL)gain chipstrained quantum well

张志军、陈贺、张卓、刘志君、张建伟、杜子业、周寅利、张星、陈超、宁永强、王立军

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辽宁科技学院 电气与自动化工程学院,辽宁 本溪 117004

华晨宝马汽车有限公司,辽宁 沈阳 110000

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 特种发光科学与技术重点实验室,吉林 长春 130033

中国科学院大学 大珩学院,北京 100049

长春中科长光时空光电技术有限公司,吉林 长春 130102

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半导体激光器 垂直外腔面发射半导体激光器 增益芯片 应变量子阱

2024

发光学报
中国物理学会发光分会,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发光学报

CSTPCD北大核心
影响因子:1.301
ISSN:1000-7032
年,卷(期):2024.45(9)