目的 研究比较Er:YAG激光和半导体激光对牙本质小管的封闭率和抗老化效果,探讨哪种激光封闭牙本质小管效果更佳,从而为临床选择何种激光进行牙本质脱敏治疗提供理论参考.方法 将25个厚2 mm的牙本质片用0.5％mmol/L的EDTA去除玷污层以制作成牙本质敏感模型,将其中5个样本作为空白对照组,另20个样本随机分成2组,每组10个,应用不同激光进行牙本质脱敏处理:A组:Er:YAG激光处理;B组:810 nm半导体激光处理.随机抽取2组各一半样本,用扫描电镜观察牙本质小管暴露率,剩余样本进行老化试验后再进行电镜扫描,观察牙本质小管的暴露率.结果 老化试验前,电镜扫描可见,对照组的牙本质小管形态完整、均匀开放,Er:YAG激光和半导体激光照射后牙本质小管口表层均有均匀致密的牙本质熔融层形成.图像分析结果可见,A、B组牙本质小管暴露面积明显小于对照组(P<0.01),且B组牙本质小管的暴露面积明显小于激光组,2组之间的差异有统计学意义(P<0.01).老化试验后电镜扫描可见:A组牙本质小管大部分被侵袭开放,B组牙本质小管暴露明显小于A组,差异有统计学意义(P<0.01).结论 半导体激光较Er:YAG激光封闭牙本质小管效果更佳,且抗老化效果更好,值得临床广泛推广应用于治疗牙本质过敏症.
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