科技视界2024，Vol.14Issue(25) ：87-90.

BN-GaN异质结器件中子探测性能研究

刘吉珍 王旭 杨毓枢 王玮
科技视界2024，Vol.14Issue(25) ：87-90.
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BN-GaN异质结器件中子探测性能研究

刘吉珍 1王旭 1杨毓枢 1王玮1
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作者信息

  • 1. 中国核动力研究设计院,四川 成都 610005
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摘要

氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表,因其独特的物理特性,如宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等,在光电器件及高能物理探测领域展现出巨大潜力.而氮化硼(BN)材料,以其优异的载流子迁移率和光吸收能力,成为与GaN结合形成异质结的理想候选.文章深入探讨了BN-GaN异质结器件在中子探测领域的应用及其性能表现,通过实验与理论分析,研究了BN-GaN异质结器件在中子探测中的性能特点,并探讨了其应用前景.

关键词

探测性能/BN-GaN异质结器件/中子探测

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出版年

2024
科技视界
上海市科普作家协会

科技视界

影响因子：0.269
ISSN：2095-2457
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