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Mg(OH)2低极性晶面选择性生长控制及机理

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以MgCl2为晶面调控剂,利用水热法对氢氧化镁(MH)的(001)晶面选择性生长进行了调控,研究了晶面调控剂浓度、反应温度、反应时间对MH颗粒的溶解和结晶作用.在MH 40 g、纯水160 mL、晶面调控剂浓度0.5 mol/L、160℃、500 r/min条件下水热处理6 h得到产品,产品各晶面的XRD衍射峰强度I001/I101和I001/I110较原料分别提高了213.95％和307.87％.百吨级中试实验控制MH固含量为10％,加入550 kg MH工业品,晶面调控剂浓度为0.5 mol/L,在160℃,150 r/min水热处理6 h,产品的I001/I101和I001/I110较原料分别提高了83.72％和112.83％.采用XRD、FE-SEM、TEM、FTIR、粒度分析仪对MH产品的形貌、结构进行了表征,并对调控机理进行了研究.结果表明,MgCl2可以在水热体系中促进MH的(001)晶面选择性生长.一方面,MgCl2作为强酸弱碱盐降低了体系pH,Cl–可通过电荷中和效应使MH发生加速溶解;另一方面,MgCl2通过提供Cl–促进了MH边缘的生长,进而强化了(001)晶面的生长.
Selective growth control and mechanism analysis of Mg(OH)2 low-polarity crystal surfaces

曹雨微、刘远、孔会民、岳萍、唐大才、林彦军

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北京化工大学 化工资源有效利用国家重点实验室,北京 100029

西部矿业集团科技发展有限公司,青海 西宁 810007

青海大学 化工学院,青海 西宁 810016

氢氧化镁 MgCl2 晶面调控剂 (001)晶面 机理分析 功能材料

2018YFC19038052020-GX-A1

2022

10.13550/j.jxhg.20220468

精细化工
大连化工研究院设计院 中国化工学会精细化工专业委员会 辽宁省化工研究院

精细化工

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.557
ISSN：1003-5214
年,卷(期)：2022.39(10)
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