首页|二维In2/3PSe3纳米片的制备及其光电探测性能

二维In2/3PSe3纳米片的制备及其光电探测性能

Preparation and photodetection performance of two-dimensional In2/3PSe3 nanosheets

扫码查看
原文链接
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
In2/3PSe3因其对称性破缺的晶体结构、良好的发光性质和直接带隙特性,在光电子器件领域具有巨大的应用潜力.本研究采用化学气相输运法合成了 In2/3PSe3单晶并通过机械剥离方法获得了二维In2/3PSe3纳米片.借助二次谐波(second-harmonic generation,SHG)和光致发光(photoluminescence,PL)光谱对其非线性光学和发光性质进行了系统的研究,结果表明In2/3PSe3纳米片具有本征对称性破缺的晶体结构和优异的发光性质.通过微纳加工技术构筑了基于In2/3PSe3纳米片的光探测器并研究了其光探测性能.基于In2/3PSe3纳米片的光探测器在365 nm波长的光照下,具有极低的暗电流(25 fA)、优异的探测度(6.28×1011 Jones)、高的开关比(4×104)以及超快的响应速度(14μs/24 μs).这些优异的光电性能预示着In2/3PSe3有潜力成为新一代高性能光探测器的核心材料.

刘贵恒、孙宗栋、苏建伟、冯昕、彭乔俊、李会巧、翟天佑

展开 >

华中科技大学材料科学与工程学院,材料成形与模具技术国家重点实验室,武汉430074

二维材料 In2/3PSe3 直接带隙 非线性光学 光学器件

国家自然科学基金湖北省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项

218251032019CFA0022019kfyXMBZ018

2021

10.1360/TB-2021-0126

科学通报
中国科学院国家自然科学基金委员会

科学通报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：1.269
ISSN：0023-074X
年,卷(期)：2021.66(31)
  • 1
  • 4