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用于神经形态计算的CsPbBr3钙钛矿忆阻器性能研究

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忆阻器可以模拟生物突触行为而实现低功耗、并行计算、集成度高的神经形态计算,因此已经引起广泛关注.本文报道了一种基于溶液法制备的铯铅溴(CsPbBr3)钙钛矿忆阻器,以包裹在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)中的CsPbBr3为功能层的忆阻器表现出优异的空气稳定性,同时成功模拟了生物突触行为,包括突触可塑性(synaptic plasticity)、长时程增强(long-term potentiation,LTP)和短时程增强(short-term potentiation,STP)、幅度依赖可塑性、双脉冲易化(paired-pulse facilitation,PPF)、短期记忆和长期记忆以及两者的转变.本研究展示的制备简单、成本低、稳定性好的钙钛矿人工突触,为未来神经形态计算的应用提供了新的可能性.
Properties of memristor based on CsPbBr3 perovskite for neuromorphic computing

倪梓全、郑悦婷、胡海龙、郭太良、李福山

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福州大学物理与信息工程学院,福州350116

铯铅溴 钙钛矿 忆阻器 神经形态计算 人工突触

国家自然科学基金

62075043

2021

科学通报
中国科学院国家自然科学基金委员会

科学通报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子:1.269
ISSN:0023-074X
年,卷(期):2021.66(33)
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