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脉冲强激光破坏Hg0.8Cd0.2Te晶片材料的机理分析

Destruction mechanism of Hg0.8Cd0.2Te induced by high power pulsed TEA-CO2 laser

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利用光学金相显微镜对TEA-CO2脉冲强激光辐照的Hg0.8Cd0.2Te晶片表面进行了观察.在单脉冲能量为37.5 J,能量密度为937.5 J/cm2的强激光辐照下,晶片表面呈现出熔融迹象和大量的微裂纹,微裂纹密度从激光辐照区中心向外逐渐减少,裂纹沿晶体的(111)面扩展.随着脉冲连续作用次数的增加,晶片表面熔融更加剧烈,裂纹数目、裂纹深度和宽度都有所增加.分析认为:HgCdTe晶片的破坏与激光辐照能量、脉冲连续作用次数、激光场强分布、激光热应力、激光支持的燃烧波和物质的蒸发波等冲击波有关.

蔡虎、程祖海、朱海红、左都罗

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华中科技大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074

TEA-CO2脉冲激光 HgCdTe 裂纹 破坏机理

国家研究发展基金

2006

强激光与粒子束
中国工程物理研究院 中国核学会 四川核学会

强激光与粒子束

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：1.008
ISSN：1001-4322
年,卷(期)：2006.18(6)
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