硅对镉胁迫下香椿幼苗光合特性和离子吸收的影响

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中文摘要：为探究硅对镉胁迫下香椿的缓解机制,以香椿幼苗为材料,采用水培法调查施加不同浓度硅(0、0.5、1.0和2.0 mmol·L-1)对镉(200 μmol·L-1)胁迫下香椿幼苗的生长指标、渗透平衡、离子吸收、光合特性、抗氧化能力的影响.结果表明:镉胁迫显著抑制香椿幼苗的生长,降低其根系活力、离子含量、光合色素含量、净光合速率(Pn)、气孔导度(Gs)、蒸腾速率(Tr);而相对电导率、胞间CO2浓度(Ci)、过氧化氢(H2O2)和丙二醛(MDA)含量则显著增加.与单独镉处理相比,施加硅后,香椿幼苗的生长指标、根系活力、铁(Fe2+)、锰(Mn2+)、锌(Zn2+)、铜(Cu2+)离子含量、叶绿素和类胡萝卜素含量以及气体交换参数(除Ci)均显著提高,而镉离子(Cd2+)含量、相对电导率、Ci、H2O2和MDA的含量均显著降低.随着施硅浓度的增加,各项生理指标均呈现低促高抑的变化趋势.试验表明,镉胁迫下施加硅可以促进香椿幼苗的生长,增加其体内的离子含量,提高光合作用效率,维持细胞膜渗透平衡和清除体内活性氧,从而缓解镉胁迫对香椿幼苗的毒害作用,且硅浓度为1.0 mmol·L-1时,综合缓解效果最佳.

外文标题：Effects of silicon on photosynthetic characteristics and ion absorption of Toona sinensis seedlings under cad-mium stress

外文关键词：

Toona sinensisCd stresssiliconphotosynthetic characteristicsion content

作者：

偶春、程雯慧、王泽璐、沈钟媛、姚侠妹

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作者单位：

阜阳师范大学生物与食品工程学院,抗衰老中草药安徽省工程技术研究中心,安徽阜阳 236037

安徽建筑大学建筑与规划学院,合肥 230022

关键词：

香椿镉胁迫硅光合特性离子含量

基金：

安徽省高校自然科学研究重点项目安徽省高校自然科学研究重点项目安徽省新农科研究与改革实践项目安徽省高校优秀青年人才支持计划安徽建筑大学博士科研启动基金

项目编号：

KJ2020A0519KJ2020A04562020xnkyjsj6gxyq20211972020QDZ15

出版年：

2023

DOI：

10.13292/j.1000-4890.202302.021

生态学杂志

中国生态学学会

生态学杂志

CSTPCDCSCD北大核心

影响因子：1.439

ISSN：1000-4890

年,卷(期)：2023.42(2)

被引量1
参考文献量14