首页|硼烯/石墨烯异质结缺陷态电子结构的第一性原理研究

硼烯/石墨烯异质结缺陷态电子结构的第一性原理研究

扫码查看
原文链接
  • 国家科技期刊平台
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
  • 维普
采用密度泛函理论系统研究了硼烯-石墨烯异质结中缺陷态对体系电子结构特性的影响.发现缺陷态存在于石墨烯一侧时会破坏异质结结构;但缺陷态存在于硼烯一侧时异质结结构仍然会稳定存在,并且体系电子结构随缺陷态密度改变而发生明显变化:从无缺陷态时的金属特性变为多缺陷态时的半导体特性.常温下的分子动力学模拟进一步验证了相关体系的动力学稳定性.
First-principles study of defect-state electronic structure of the borophene/graphene heterostructure

陈文浩、马洁、刘会霞、孙启花、段海明

展开 >

新疆大学 物理科学与技术学院,乌鲁木齐830046

异质结 空位缺陷 半导体 密度泛函理论

新疆维吾尔自治区自然科学基金

2019D01C038

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.012002

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(1)
  • 1