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铋碲掺杂对锗光学性质影响的第一性原理研究

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采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法研究了Bi、Te掺杂对Ge光学性质的影响.结果表明:(1)Bi单掺使介电函数虚部、吸收率、光电导率实部峰值变大且向低能方向移动;介电函数实部变小且向低能方向移动;(2)Te单掺使介电函数实部、虚部、吸收率、电导率实部峰值变小且向低能方向移动;(3)所有掺杂体系的静态介电常数都变大.这些结果为研制高性能光电器件用新型功能材料提供了理论依据.
First-principles studies effect of Bi, Te doped on the optional properties of the Ge

乔治、温淑敏、张团龙

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内蒙古工业大学 理学院, 呼和浩特010051

锗铋碲 光学性质 第一性原理

内蒙古工业大学大学生创新实验计划项目内蒙古自治区自然科学基金

20190930172018MS01013

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.016002

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(1)
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