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Cu-N共掺β-Ga2O3的光电性质的第一性原理计算

First-principles study on the photoelectric properties of Cu-N co-doped β-Ga2O3

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基于密度泛函理论,本文通过OTFG赝势方法计算了本征β-Ga2O3以及Cu-N共掺后β-Ga2 O3的晶格常数、电子结构以及光学特性.计算结果表明本征β-Ga2O3的禁带宽度为4.5 eV;Cu和N掺入β-GaO3后属于受主杂质,并且引入了深受主能级,这表明Cu-N共掺后β-Ga2 O3变为p型半导体材料;光学性质计算结果表明本征β-Ga2 O3的静介电函数为2.5,掺杂后β-GaO3的静介电函数增大,对电荷的存储能力增强;此外,Cu-N的共掺对β-Ga2 O3的吸收系数、反射率在能量较低的区域的影响较大,而对能量较高的区域影响较小.

宋娟、王一、郭祥、罗子江、王继红

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贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025

教育部半导体功率器件可靠性工程研究中心,贵阳550025

贵州财经大学信息学院,贵阳550025

密度泛函理论 β-Ga2O3 电子结构 光学性质

国家自然科学基金国家自然科学基金国家自然科学基金贵州省科技计划

615640021166400561604046黔科合基础[2017]1055

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.021005

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(2)
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