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多量子势垒双阻挡层结构对AlGaN基深紫外激光二极管的性能优化

Performance optimization of AlGaN-based deep ultraviolet laser diodes with multiquantum barrier in double blocking layers

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为提高AlGaN基深紫外激光二极管(Deep Ultraviolet Laser Diodes,DUV-LD)有源区内载流子浓度,减少载流子泄露,提出一种DUV-LD双阻挡层结构,相对于传统的单一电子阻挡层(Electron Blocking Layer,EBL)结构,又引入一空穴阻挡层(Hole Blocking Layer,HBL),仿真结果证明空穴阻挡层的应用能很好地减少空穴泄漏.同时又对双阻挡层改用五周期Al0.98 Ga0.02 N/Al0.9 Ga0.1N多量子势垒层结构,结果显示与矩形EBL和HBL激光二极管相比,多量子势垒EBL和HBL激光二极管有更好的斜率效率,并且有源区内电子和空穴载流子浓度以及辐射复合速率都有效提高,其中多量子势垒EBL在阻挡电子泄露方面效果更显著.

王梦真、王瑶、魏士钦、王芳、全智、刘俊杰、刘玉怀

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郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,郑州450001

多量子势垒 双阻挡层 深紫外激光二极管 载流子泄露

国家重点研发计划重点专项2019年度宁波市"科技创新2025"重大专项

2016YFE01184002019B10129

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.026004

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(2)
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