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含缺陷的二维CuⅠ光电性质的第一性原理计算

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基于密度泛函理论计算了本征缺陷时二维CuⅠ的光电特性,分析了能带结构以及复介电函数.本征2D CuⅠ的带隙值为1.56 eV,为直接带隙半导体;Ⅰ和Cu缺陷的引入使2D CuⅠ的带隙值小,Cu缺陷的引入并未改变2D CuⅠ的带隙方式,而I缺陷的引入使2D CuⅠ变为间接带隙半导体.光学性质计算结果表明本征2D CuⅠ的静介电函数为2.47,Ⅰ缺陷的引入对2D CuⅠ的静介电函数影响较小,但是在Cu缺陷时2D CuⅠ的静介电函数急剧增大.
Studies of the photoelectrical properties for 2D CuⅠ modified by intrinsic defects via first principles calculation

宋娟、贺腾

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贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025

中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100080

密度泛函理论 二维CuⅠ结构 本征缺陷 电子结构 光学特征

国家自然科学基金国家自然科学基金国家自然科学基金贵州省科技计划

615640021166400561604046黔科合基础[2017]1055

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.032003

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(3)
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