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不同浓度下V掺杂Mg2Si的第一性原理研究

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本文用基于密度泛函理论的超软赝势平面波方法,分别计算了四种V掺杂模型Mg2-xVxSi(x =0,0.25,0.5,0.75)的电子结构和光学性质,并对其能带图、态密度图和光学性质进行了分析.结果 表明,V掺杂之后会使Mg2Si由其原本的半导体性变为半金属性,在费米能级处出现了杂质能级,态密度图也显示V元素的3d轨道的贡献在费米能级附近占据主导地位,Mg2Si的光学性质随着V元素的掺入也发生了改变.该文为Mg2Si材料在电子器件和光学器件方面的应用提供了理论依据.
First-principles study of different levels of V-doped Mg2Si

梁前、谢泉、王熠欣、罗祥燕

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贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025

Mg2Si V掺杂 第一性原理 电子结构 光学性质

国家自然科学基金贵州省高层次创新型人才培养项目

61264004黔科合人才[2015]4015

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.036001

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(3)
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