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二维InSe/SnSe2范德华异质结的电子结构和光学特性研究

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本文构建了三种不同堆叠形式下的二维InSe/SnSe2范德华异质结模型,利用基于密度泛函理论的第一性原理方法综合考察了二维InSe/SnSe2三种不同堆叠情况下的几何构型及稳定性,在此基础上选取具有最稳定性能的构型.该异质结呈现出II型能带对齐特征,带隙值为1.118 eV,可以实现电子-空穴的有效分离.另外,相比与单层二维InSe/SnSe2范德华异质结的光吸收能力达到明显提升,在紫外光范围内吸收系数达到106 cm-1.研究结果将为相关物理实验及机理研究提供理论基础,对二维InSe/SnSe2范德华异质结在光电器件中的应用具有重要的物理意义.
Electronic structure and optical properties of two-dimensional InSe/SnSe2 van der Waals heterostructures

蒋庆刚、薛雅杰

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河南理工大学 鹤壁工程技术学院,鹤壁458030

河南师范大学 物理学院,新乡453007

InSe/SnSe2范德华异质结 电子结构 光学特性 第一性原理

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.041009

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(4)
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