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磁控溅射功率对β-Ga2O3薄膜特性的影响

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近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga2O3受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-Ga2O3薄膜制备方法之一,而磁控溅射法制膜往往需要进行退火处理以提高薄膜质量.本文研究溅射功率对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga2O3薄膜特性的影响.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明,随着溅射功率的增大,半峰宽呈现先增大后减小再增大的趋势,晶粒尺寸变化与之相反.此外,通过积分球式分光光度计,研究了溅射功率对β-Ga2O3薄膜光学特性的影响.光学特性方面,薄膜吸光度随着波长的增加,先升高后下降、再升高再下降,最后吸收边在700 nm附近截止,不同溅射功率制备的薄膜吸收光谱都存在两个吸收峰.
Effects of magnetron sputtering power on β-Ga2O3 thin films prepared by magnetron sputtering

冉景杨、高灿灿、马奎、杨发顺

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贵州大学 电子科学系,贵阳550025

贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025

半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳550025

β-Ga2O3 射频磁控溅射 溅射功率 半峰宽 晶粒尺寸

国家自然科学基金半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金

61664004ERCME-KFJJ2019-01

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.043001

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(4)
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