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Ni-C共掺杂AgSnO2触头材料电性能第一性原理计算

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采用基于密度泛函理论的第一性原理分析方法的CASTEP软件,计算了Ni、C单掺杂和共掺杂SnO2的晶格参数、能带结构、电子态密度和布局,结果表明:单掺杂和共掺杂均使得晶胞体积略微增大,禁带减小,且仍属于直接带隙半导体,在价带顶和导带底产生杂质能级,其中Ni-C共掺杂时禁带最小,杂质能级最多,电子跃迁需要的能量更小,导电性也就最好.共掺杂时费米能级附近的峰值有所减小,局域性降低,原子间的成键结合力更强,使得SnO2材料也更加稳定.
First-principles calculation of electrical properties of Ni-C co-doped AgSnO2 contact materials

丁璨、高振江、胡兴、袁召

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三峡大学 电气与新能源学院, 宜昌443002

华中科技大学 强电磁工程与新技术国家重点实验室,武汉430074

AgSnO2触头材料 第一性原理 共掺杂 电性能

国家自然科学基金

51807069

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.046005

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(4)
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