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第一性原理研究3C-SiC/Mg复合材料界面的电子结构

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基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法对4种3C-SiC(111)/Mg(0001)界面模型进行研究.界面间距和粘附功的计算表明,结构优化之后的界面模型只在z轴方向发生了移动,界面间距发生了不同程度的缩短;中心型模型的稳定性强于顶位型模型,C终端结构的稳定性强于Si终端结构,中心型C终端的界面模型具有最大的粘附功(2.5834 J/m2)和最小的界面间距(1.7193Å),是4种模型中最稳定的结构.Mulliken电荷、电荷密度分布、差分电荷密度和态密度的计算表明,中心性结构的Si终端和C终端模型界面处存在共价键、离子键和金属键.
First-principles study of the electronic structure of the 3 C-SiC/Mg composite interface

吕昭、尧军平、唐锦旗、陈致君

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南昌航空大学 航空制造工程学院,南昌330063

界面 电子结构 第一性原理

国家自然科学基金国家自然科学基金

5206504651661024

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.046007

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(4)
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