首页|后退火时间对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响

后退火时间对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响

扫码查看
原文链接
  • 国家科技期刊平台
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
第三代半导体β-Ga2O3因其优异的性质在近年来备受国内外的关注,而获得质量较好的β-Ga2 O3薄膜也就成了其广泛应用的关键.本文采用射频磁控溅射方法,以C面蓝宝石(Al2O3)为衬底制备β-Ga2O3薄膜,并研究后退火工艺中退火时间对制得的β-Ga2O3薄膜材料的影响.XRD和AFM表征结果表明,随着退火时间的增加,薄膜的衍射峰强度表现为先增大后减小再增大的特性,半峰宽为先增大后减小,而晶粒尺寸与半峰宽相反;薄膜表面粗糙程度呈现先下降后上升的趋势.另外,利用积分球式分光光度计测试了薄膜的光学特性,结果表明薄膜的吸收光谱存在两个吸收峰值,分别位于250 nm和300 nm附近处,在深紫外区域有较好的吸收特性.
Effect of post-annealing time on β-Ga2O3 thin film prepared by magnetron sputtering

杨赉、高灿灿、杨发顺、马奎

展开 >

贵州大学电子科学系,贵阳550025

贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025

半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳550025

β-Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 退火时间 衍射峰强度 光学特性

国家自然科学基金半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金

6166400401

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.053002

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(5)
  • 1
  • 22