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Sb、Ce掺杂Mg2 Ge的第一性原理研究

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此文用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法系统的计算了 Sb、Ce掺杂Mg2Ge的能带结构、态密度以及光学性质,获得了 Mg2Ge掺杂Sb后,费米面进入导带,呈现n型导电;Mg2Ge掺杂Ce后,上自旋电子在费米能级附近处的价带和导带有一部分重叠,呈现半金属特性,进入导带电子数目增多,导电性增强.Sb、Ce掺杂Mg2Ge后,其主要吸收峰都小于未掺杂Mg2Ge,在可见光区域的透过率增大;Sb掺入后,在能量低于2.6 eV反射谱出现红移,Ce掺入后Mg2Ge的吸收范围明显宽于本征Mg2Ge;掺杂改善了 Mg2Ge对红外光子的吸收等有益结果.
First-principles study of Sb and Ce doped Mg2Ge

钱国林、谢泉、王熠欣、罗祥燕

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贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025

第一性原理 Mg2Ge 掺杂 光学性质

贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地项目

2020-520000-83-01-324061

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.056003

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(5)
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