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SiC单层内Co空间选位对自旋组态的调控

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基于第一性原理的密度泛函理论,对SiC单层不同位置掺杂Co进行了能带结构、电子态密度、净自旋密度和自旋纹理等计算,结果表明不同位置的掺杂引起不同特征的自旋积累及单层的电子结构特性.由于Co的不同选位掺杂而产生一些新奇现象,如扭曲的Co-C键在掺杂SiC内激发了自旋流而诱导了自旋重新分布,不同选位的Co原子通过调整内磁场改变了小极化子内巡游电子的定域属性,增加了Dirac点附近磁振子的色散强度等.这些研究结果为得到一个人工调控量子自旋电路和选频自旋波器件内自旋谷电子提供了理想平台.
Spin configuration-dependent regulation induced by Co position-selected doping in SiC monolayer

陈莉平、炎正馨、王朝棋、王乙先

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西安科技大学 理学院,西安710054

碳化硅单层 选位掺杂 态密度 自旋纹理

国家自然科学基金

11904282

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.061007

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(6)
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