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Rb原子修饰缺陷h-BN单层储氢性能的第一性原理研究

First-principles study on hydrogen storage property of Rb-decorated defective h-BN monolayer

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基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,系统的研究了碱金属Rb原子修饰具有空位缺陷h-BN单层体系的储氢性能.发现Rb原子可稳定吸附在h-BN单层的B单空位缺陷(VB)上,且Rb原子间无团簇倾向,单个Rb原子最多可稳定吸附5个H2分子,H2分子平均吸附能在0.18-0.21 eV范围内.电子结构分析表明H2分子主要通过极化机制和轨道杂化作用吸附在Rb修饰的缺陷h-BN单层体系上.Rb双侧修饰缺陷h-BN单层体系的理论储氢质量比可以达到5.0 wt％.基于范特霍夫方程和从头算分子动力学(AIMD)模拟对储氢体系的热力学稳定性进行了进一步的研究.

王丽春、张志才、马良财、马玲

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宁夏大学 物理与电子电气工程学院, 银川750021

第一性原理 缺陷BN单层 储氢

国家自然科学基金

11664032

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.066003

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(6)
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