首页|Cd、Sr掺杂Mg2Ge电子结构和光学性质的第一性原理研究

Cd、Sr掺杂Mg2Ge电子结构和光学性质的第一性原理研究

First principles calculations on the electronic structures and optical properties of Cd and Sr doped Mg2 Ge

扫码查看
原文链接
  • 国家科技期刊平台
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
此文用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,分别研究了本征、掺Cd、掺Sr的Mg2 Ge的能带结构、电子态密度和光学性质.研究结果表明,本征Mg2 Ge是一种间接带隙半导体,带隙值为0.228 eV.Sr的掺入使其变成带隙为0.591 eV的直接带隙半导体,Cd掺杂Mg2 Ge后表现出半金属性质.掺杂后的主要吸收峰减小,吸收谱范围增加.在可见光能量范围内,掺杂的Mg2 Ge有更低的反射率,对可见光的利用率增强.此外,掺杂还提高了高能区的光电导率.

佘子强、谢泉、钱国林、王莉

展开 >

贵州大学 大数据与信息工程学院 新型光电子材料与技术研究所, 贵阳550025

密度泛函理论(DFT) 第一性原理 Mg2 Ge 掺杂 光学性质

贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地项目国家自然科学基金贵州省高层次创新型人才培养项目

2020-520000-83-01-32406161264004黔科合人才20154015

2022

10.19855/j.1000-0364.2022.066004

原子与分子物理学报
四川大学,四川省物理学会,中国物理学会原子与分子物理专业委员会

原子与分子物理学报

北大核心
影响因子：0.296
ISSN：1000-0364
年,卷(期)：2022.39(6)
  • 6