A self-selecting memory element based on a method of interconnected ovonic threshold switching device

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原文链接

作者：

Jinyu WEN、Lun WANG、Jiangxi CHEN、Hao TONG、Xiangshui MIAO

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作者单位：

School of Integrated Circuits,Huazhong University of Science & Technology,Wuhan 430074,China

Institute of Artificial Intelligence,Huazhong University of Science & Technology,Wuhan 430074,China

Hubei Yangtze Memory Laboratories,Wuhan 430205,China

基金：

国家自然科学基金湖北省自然科学基金Hubei Key Laboratory of Advanced Memories & Hubei Engineering Research Center on Microelectronics

项目编号：

621740652021CFA038

出版年：

2024

DOI：

中国科学:信息科学(英文版)

中国科学院

CSTPCDEI

影响因子：0.715

ISSN：1674-733X

年,卷(期)：2024.67(3)