Improved RF power performance via electrostatic shielding effect using AlGaN/GaN/graded-AlGaN/GaN double-channel structure

Chunzhou SHI ¹Ling YANG ²Meng ZHANG ²Hao LU ²Mei WU ²Bin HOU ²Xuerui NIU ²Qian YU ²Wenliang LIU ²Wenze GAO ²Xiaohua MA ²Yue HAO²

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作者信息

1. School of Advanced Materials and Nanotechnology,Xidian University,Xi'an 710071,China
2. State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology,Xidian University,Xi'an 710071,China
折叠

国家自然科学基金(62234009)

国家自然科学基金(62090014)

国家自然科学基金(62188102)

国家自然科学基金(62104178)

国家自然科学基金(62104179)

国家自然科学基金(62104184)

中国博士后科学基金(2022T150505)

Postdoctoral Fellowship Program of CPSF(GZB20230557)

Natural Science Basic Research Program of Shaanxi Province(2024JC-YBQN-0611)

中央高校基本科研业务费专项(YJSJ23019)

2024

中国科学:信息科学(英文版)

中国科学院

CSTPCDEI

影响因子：0.715

ISSN：1674-733X

参考文献量5

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