首页|Improved RF power performance via electrostatic shielding effect using AlGaN/GaN/graded-AlGaN/GaN double-channel structure

Improved RF power performance via electrostatic shielding effect using AlGaN/GaN/graded-AlGaN/GaN double-channel structure

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Chunzhou SHI、Ling YANG、Meng ZHANG、Hao LU、Mei WU、Bin HOU、Xuerui NIU、Qian YU、Wenliang LIU、Wenze GAO、Xiaohua MA、Yue HAO

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School of Advanced Materials and Nanotechnology,Xidian University,Xi'an 710071,China

State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology,Xidian University,Xi'an 710071,China

国家自然科学基金国家自然科学基金国家自然科学基金国家自然科学基金国家自然科学基金国家自然科学基金中国博士后科学基金Postdoctoral Fellowship Program of CPSFNatural Science Basic Research Program of Shaanxi Province中央高校基本科研业务费专项

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2024

10.1007/s11432-023-3940-x

中国科学:信息科学(英文版)
中国科学院

中国科学:信息科学(英文版)

CSTPCDEI
影响因子：0.715
ISSN：1674-733X
年,卷(期)：2024.67(4)
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