High performance 2T0C DRAM cells based on atomic-layer-deposited InAlZnO FETs

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High performance 2T0C DRAM cells based on atomic-layer-deposited InAlZnO FETs

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万方数据

作者：

Wen XIONG、Binbin LUO、Wei MENG、Bao ZHU、Xiaohan WU、Shi-Jin DING

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作者单位：

School of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 200433,China

基金：

National Natural Science Foundation of China

项目编号：

61874029

出版年：

2024

DOI：

10.1007/s11432-024-4112-x

中国科学:信息科学(英文版)

中国科学院

中国科学:信息科学(英文版)

CSTPCDEI

影响因子：0.715

ISSN：1674-733X

年,卷(期)：2024.67(9)