中国科学:信息科学(英文版)2024，Vol.67Issue(9) ：340-341.DOI:10.1007/s11432-024-4112-x

High performance 2T0C DRAM cells based on atomic-layer-deposited InAlZnO FETs

Wen XIONG Binbin LUO Wei MENG Bao ZHU Xiaohan WU Shi-Jin DING
中国科学:信息科学(英文版)2024，Vol.67Issue(9) ：340-341.DOI:10.1007/s11432-024-4112-x
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High performance 2T0C DRAM cells based on atomic-layer-deposited InAlZnO FETs

Wen XIONG 1Binbin LUO 1Wei MENG 1Bao ZHU 1Xiaohan WU 1Shi-Jin DING1
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作者信息

  • 1. School of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 200433,China
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基金项目

National Natural Science Foundation of China(61874029)

出版年

2024
中国科学:信息科学(英文版)
中国科学院

中国科学:信息科学(英文版)

CSTPCDEI
影响因子：0.715
ISSN：1674-733X
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