高增益分离打拿极电子倍增器设计

Design of High-gain Separated Dynode Electron Multipliers

贺峦轩 ¹陈萍 ²李洁 ³刘虎林 ²田进寿 ²胡文波 ³吴胜利³

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作者信息

1. 中国科学院西安光学精密机械研究所中国科学院超快诊断技术重点实验室,陕西西安 710119;西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室电子科学与工程学院,陕西西安 710049;中国科学院大学,北京 100049
2. 中国科学院西安光学精密机械研究所中国科学院超快诊断技术重点实验室,陕西西安 710119
3. 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室电子科学与工程学院,陕西西安 710049
折叠

摘要

利用CST仿真软件,建立了一套高性能、双增益工作模式分离打拿极电子倍增器仿真模型,依此分析分离打拿极电子倍增器结构参数和电压分配对其增益的影响规律,在此基础上优化设计参数,完成26级分离打拿极电子倍增器设计方案.此设计方案具有模拟、计数双工作模式切换功能,以满足对不同通量的入射离子无失真探测需求,同时减小打拿极二次电子发射薄膜的无效工作时间,延长电子倍增器工作寿命.最终在负高压1 500 V和正高压1 000 V共同工作条件下,分离打拿极电子倍增器模拟输出增益为2.02 × 106,计数输出增益可以达到4×107.

Abstract

By using CST simulation software,a simulation model of high-performance dual-gain-mode-sepa-rated dynode electron multiplier is established.The effects of structural parameters and voltage distribution on its gain are analyzed.Based on this analysis,parameters are optimized and a 26-stage dynode electron multiplier is designed.The design features dual-mode switching between simulation and counting to meet the distortion-free detection requirements of incident ions with different fluxes.Simultaneously,it reduces the ineffective working time of the dynode secondary electron emission film,and extends the lifetime of the electron multiplier.Under a negative high voltage of 1 500 V and a positive high voltage of 1 000 V,the simulation output gain of the separa-ted dynode electron multiplier is 2.02 × 106,and the counting output gain can reach 4 × 107.

关键词

电子倍增器/CST仿真/结构优化/高增益

Key words

Electron multiplier/CST simulation/Structural optimization/High gain

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出版年

2024

真空电子技术

北京真空电子技术研究所

真空电子技术

影响因子：0.166

ISSN：1002-8935

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