外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーべック係数変化

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外文标题：外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーべック係数変化

外文关键词：

サーモパイル型赤外線センサゼーベック係数極薄soi層フェルミエネルギーフオノンドラッグ

作者：

池田　浩也、鈴木　悠平、三輪　一聡、ファイズ　サレ

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作者单位：

静岡大学電子工学研究所，〒432-8011　静岡県浜松市中区城北　3-5-1

静岡大学電子工学研究所，〒432-8011　静岡県浜松市中区城北　3-5-1,日本学術振興会特別研究員，〒102-8472　東京都千代田区一番町　8

出版年：

2013

電子情報通信学会技術研究報告

ISSN：0913-5685

年,卷(期)：2013.112(445)