材料とプロセス2022，Vol.35Issue(1 TN.183) ：1.

(J019)界面再構成法によるSi 基合金中4H-SiC (000-1)面の1873 K におけるバンチング挙動の組成依存性の調査

青木秀人 Didier Chaussende 川西咲子
材料とプロセス2022，Vol.35Issue(1 TN.183) ：1.
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(J019)界面再構成法によるSi 基合金中4H-SiC (000-1)面の1873 K におけるバンチング挙動の組成依存性の調査

青木秀人 1Didier Chaussende 2川西咲子3
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作者信息

  • 1. 東京大学
  • 2. Grenoble-Alpes Univ.-CNRS
  • 3. 東北大学
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出版年

2022
材料とプロセス

材料とプロセス

ISSN：1882-8922
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