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电子元件与材料
中国电子学会　中国电子元件行业协会　国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
电子元件与材料

中国电子学会　中国电子元件行业协会　国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)

钟彩霞

月刊

1001-2028

journalecm@163.com/zhubei5148@163.com

028-84391569

610051

成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

电子元件与材料/Journal Electronic Components & MaterialsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
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收录年代

    带有阈值电压的非线性忆容器混合建模与特性分析

    曹伟乔金杰崔弘
    204-208页
    查看更多>>摘要：忆容器是在电感、电容和电阻基本电路元件之后出现的新型电路元件,因其具有非易失性和非线性特点,在众多领域中具有广泛的应用前景.为了使忆容器模型更接近实际忆容器和方便与其他二端口电路元件连接,通过引入阈值电压的方法改进了忆容器荷控数学模型,并利用Simscape和Simulink相结合的混合建模方法建立了带有阈值电压的忆容器二端口仿真模型.通过仿真实验分析了触发电压的幅值和频率对该仿真模型磁滞回线的影响.结果表明,建立的仿真模型符合忆容器的基本特性,即磁滞回线随电压幅值的增大逐渐变宽,随电压频率的增加逐渐变窄.该模型可为以后忆容器的应用研究和仿真研究奠定基础.

    忆容器阈值电压混合建模仿真模型Simscape

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    Ag纳米线掺杂单晶SnSe热电和力学性能的研究

    袁小红王成江魏诗蒙徐晓锐...
    209-216页
    查看更多>>摘要：为探究Ag纳米线掺杂对单晶SnSe的热电和力学性能的影响,建立了一种1D-3D的复合结构体系的理论模型.基于密度泛函理论的第一性原理,计算了 Ag纳米线掺杂体系的能带、态密度、载流子相对质量、声子群速度及弹性常数等.从微观特征变化研究Ag纳米线掺杂对热电转化性能和力学性能的影响.结果表明:随着Ag纳米线掺杂浓度的增大,体系的禁带宽度逐渐减小,导带有明显的提高,提高了载流子的迁移率,有利于电导率的提高;载流子相对质量呈现先上升后下降的变化趋势,且相较于未掺杂的SnSe有明显增大,材料的塞贝克系数显著提高;声子群速度逐渐减小,导热性能降低,有利于热电性能的提高;掺杂Ag纳米线的SnSe的体模量和剪切模量均比未掺杂的SnSe小,材料的可塑性和韧性逐渐加强,SnSe的力学性能得到改善.

    热电材料第一性原理Ag纳米线掺杂热电性能力学性能

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    组合压电材料发电性能及力学特性研究

    李标邵家儒郑子君张欣怡...
    217-222页
    查看更多>>摘要：采用组合式压电材料的方法优化调节压电式能量收集器中压电结构的发电性能、刚度及振动特性,并在PZT-5H的单晶压电片中引入压电材料PZT-51与PVDF,通过调整组合形式改变了压电结构的机械刚度,通过模态分析优化了压电结构的振动特性.结果表明:合理的组合形式能够充分发挥压电材料的力电性能,提高压电能量收集器对复杂工作场景的适应性.引入压电材料PZT-51可以有效提高压电能量收集器的刚度;引入压电材料PVDF可以有效调节压电结构的一阶特征频率,在54～115 Hz范围内进行优化,有助于调节压电能量收集器的性能参数.

    压电材料刚度力电性能特征频率

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    基于超表面的交叉极化转换器设计

    张胜曹为为解鑫李大妮...
    223-229页
    查看更多>>摘要：针对目前对极化转换器高性能的需求,提出了一种新型的反射型交叉极化转换器.基于超表面结构,极化转换器由顶层周期排列的金属图案、中间介质板和金属底板三部分组成.研究表明,在9.38～23.78 GHz频率范围内,该结构可实现极化转换率(Polarization Conversion Ratio,PCR)高于95％的交叉极化转换,其中四个谐振峰处极化转换率接近100％.此外,转换带宽为14.4 GHz,相对带宽为86.9％.该结构简单、损耗小、成本低、易于加工与集成,在微波通信、测量和成像等领域有广泛的应用前景.

    超表面极化转换器交叉极化超宽带高效率

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    一种用于传感器模拟前端的可编程增益放大器

    王程张加宏刘祖韬邹循成...
    230-237,245页
    查看更多>>摘要：基于华虹0.18 μm CMOS工艺设计了一款用于传感器模拟前端的可编程增益放大器(PGA),其整体采用全差分结构来抑制传感器输出的共模噪声、直流分量以及供电电源的输出噪声.该电路由仪表放大结构轨对轨输入级、轨对轨自动调零全差分运算放大器、数字控制电路以及直流分量消除电路这四个部分构成,同时采用连续时间自动调零校准技术来降低其输入失调电压.PGA的放大倍数为5 bit调节,共12个档位,分别为1,2,4,8,…,1024,2048倍.在3.3 V电源电压下,PGA输入输出摆幅为0.2～3.1 V.在输入500 mV的直流分量条件下,在-40～125 ℃的温度范围内,可将直流分量抑制到47.6 μV.通过Virtuoso软件进行电路设计、版图绘制以及仿真验证,后仿真结果表明,在进行100次蒙特卡罗仿真下,电源抑制比和共模抑制比在1 kHz处的平均值分别约为110.3 dB和116.1 dB,输入失调电压的1σ值约为21.3 µV.

    可编程增益放大器输入输出范围自动调零校准电源抑制比共模抑制比

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    SiC芯片封装纳米银烧结层的热机械分析及疲劳寿命预测

    倪艳陈丹阳蔡苗杨道国...
    238-245页
    查看更多>>摘要：纳米银的热膨胀系数与模块中其他组件存在较大差异,导致在严苛环境下工作时发生热疲劳失效.因此,预测纳米银烧结层的热疲劳寿命成为关键问题.以SiC功率模块为对象,利用有限元仿真和修正的Coffin-Manson寿命预测模型,分析了纳米银烧结层在热循环载荷下的最大等效应力和疲劳寿命.进一步通过响应面法分析,以疲劳寿命为优化目标,选取了 SiC芯片和纳米银烧结层最佳参数组合,并探究铜基板镀镍对疲劳寿命的影响.研究结果显示:在累积的热循环下,纳米银烧结层边角处的等效应力最大,最容易发生热疲劳失效.通过优化设计,当SiC芯片厚度取0.15 mm,纳米银烧结层厚度取0.1 mm时,最大等效应力降低了 1.36％,疲劳寿命增加了 1.57倍.此外,铜基板上的镍层与纳米银烧结层具有相适应的材料属性,能够降低纳米银烧结层的等效应力,并增加其疲劳寿命.

    有限元分析纳米银应力疲劳寿命镀镍

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    回流焊温度对SnBi-SAC/ENIG焊点剪切强度的影响

    陈慧峰姜梦夏邱俊曹荣幸...
    246-252页
    查看更多>>摘要：针对有机电路板在回流焊接时的热变形问题,采用机械混合方法制备SnBi-SAC/ENIG复合焊点,研究回流焊温度对焊点微观组织和力学性能的影响.结果表明复合焊点在180 ℃下的剪切强度约为25 MPa,可满足芯片与基板预连接强度需求.随着回流焊温度的升高,复合焊点界面微观组织细化,存在弥散分布的小尺寸富Bi相与Ag3Sn相.在250 ℃回流焊时,复合焊点强度提升至约55 MPa.该材料可适用于低温预连接-结构加固-高温回流的封装工艺,对抑制封装结构热变形具有显著效果.

    回流焊微观组织剪切强度复合焊点

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