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发光学报
中国物理学会发光分会；中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发光学报

中国物理学会发光分会；中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申德振

月刊

1000-7032

fgxbt@126.com

0431-86176862，84613407

130033

长春市东南湖大路16号

发光学报/Journal Chinese Journal of LuminescenceCSCD北大核心CSTPCDEI
查看更多>>本刊主要反映我国发光学领域中在科研、技术和生产中的学术成就，开展国内外的学术交流，提高该领域内从事科研、教学、生产人员的技术水平。
正式出版
收录年代

    聚乙烯亚胺包覆氧化锌电子传输材料的制备及其对有机光伏电池空气和紫外稳定性的增强效应

    宋海涛王宇杨建胜张小科...
    1145-1155页
    查看更多>>摘要：活性层与电极之间的界面层材料对有机太阳能电池(OSCs)至关重要,它直接影响器件的性能和稳定运行.作为一种广泛应用的电子传输材料,氧化锌(ZnO)纳米颗粒(NPs)较高的表面缺陷态易在表面吸附水氧,严重影响OSCs的效率和稳定性.因此,本文设计了一种既能钝化表面缺陷又能调节能级的聚乙烯亚胺(PEI)包覆ZnO NPs的协同策略,采用水热法成功合成了ZnO@PEI NPs,并将其作为电子传输层(ETL)应用于基于PM6∶BO-4Cl∶PC61BM的OSCs中.结果表明,使用 ZnO@PEI NPs作为ETL制备的光伏器件的光电转换效率(PCE)略有下降,但由于包覆的PEI钝化了ZnO表面缺陷,ZnO@PEI NPs器件展现出更好的空气和紫外稳定性.本研究提出了一个构建多功能、高稳定性ETL的有效策略,为实现高稳定OSCs提供了一条适用的新途径.

    有机太阳能电池电子传输层氧化锌纳米颗粒聚乙烯亚胺空气稳定性紫外稳定性

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    基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管

    申国文鲁麟许福军吕琛...
    1156-1162页
    查看更多>>摘要：通过分离多量子垒电子阻挡层(EBL)结构,实现了AlGaN基DUV-LED器件性能的提升.由仿真结果可得,与传统的块状EBL相比,采用分离多量子垒结构的EBL可以获得更高的空穴浓度和辐射复合速率.这得益于EBL中间的夹层形成了空穴加速区,使得空穴在加速区获得能量,从而提高了空穴注入效率.另外,多量子势垒结构还能够通过提高电子势垒有效抑制电子泄漏,从而大幅度提升器件性能.综上所述,多量子垒电子阻挡层的引入可以显著提升AlGaN基DUV-LED器件的性能.

    AlGaN深紫外发光二极管电子阻挡层

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    基于激基复合物主体的高效杂化白光有机发光二极管

    边浩冬李佳睿张春芳冯旗...
    1163-1172页
    查看更多>>摘要：在有机发光二极管(OLEDs)中,发光层中载流子的平衡以及激子分布区域的拓宽对于提高器件效率是至关重要的.本研究采用SiCzCz∶SiTrzCz2激基复合物(Exciplex)主体设计制备了基于热激活延迟荧光(TADF)材料DMAC-DPS和TDBA-SAF的低效率滚降蓝光发光器件,并以相同Exciplex为主体材料,通过引入红光磷光材料RD071和绿光磷光材料Ir(ppy)2(acac)构建了同一主体的三层发光结构,实现了高显色指数杂化白光OLEDs的设计.SiCzCz∶SiTrzCz2激基复合物作为主体材料不仅拓宽了激子分布区域,平衡了发光层中载流子传输,并通过与TADF/磷光发光材料三线态能级匹配,构建了级联式激子能量传递途径,从而有效地提高了激子利用率、降低了器件的效率滚降.通过优化器件结构,白光OLEDs实现了最高外量子效率(EQE)、电流效率(CE)、功率效率(PE)分别为23.0%、45.9 cd·A-1 和33.9 lm·W-1,器件具有较高的显色指数(CRI=87)、良好的光谱稳定性和低的效率滚降.本研究为高显色指数、低效率滚降的杂化TADF/磷光白光器件提供了一种新的设计方案.

    有机发光二极管热激活延迟荧光激基复合物载流子平衡激子传递

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    铁电效应调控的高性能p-NiO/i-BaTiO3/n-ITO自供能紫外光电探测器

    洪涵真刘可为杨佳霖陈星...
    1173-1180页
    查看更多>>摘要：近年来,自供能的紫外光电探测器由于无需任何外部偏压即可工作而成为军事和民用领域的研究热点.其中,钛酸钡(BTO)作为一种宽禁带铁电材料,拥有良好的铁电、压电和热电性能,可以产生本征自发极化场来分离光生载流子,从而实现自供能紫外光电探测.到目前为止,基于BTO的自供能光电探测器已经取得了巨大进展,然而,除了使用高质量的单晶材料外,所报道的器件往往表现出低响应度(10-8～10-7 A·W-1).本文利用低成本的射频溅射技术,制造了一种高性能的NiO/BTO/ITO p-i-n异质结构自供能紫外光电探测器.通过将BTO的铁电去极化场和p-i-n结的内建电场耦合,能有效提高光生载流子的分离和迁移.因此,该器件在正极化态下255 nm波长紫外光照射下的响应度可以达到3.4×10-5 A·W-1,远远高于其他已报道的基于非晶态和陶瓷BTO制备的紫外光电探测器.此外,该器件具有0.3 s/0.4 s的快速响应时间.本工作为提高BTO光电探测器的性能提供了一种新的策略.

    钛酸钡铁电极化自供能紫外光电探测器p-i-n结去极化场

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    基于对称光纤模式选择耦合器的多波长高阶横模光纤激光器

    吕鑫王帆苗云宁任文华...
    1181-1188页
    查看更多>>摘要：提出并实现了一种基于对称光纤模式选择耦合器和单模-少模-单模光纤滤波器的环形腔高阶横模光纤激光器,获得了多波长、高纯度的LP11模式激光输出.实验结果表明,该激光器可以稳定地工作在单波长、双波长、三波长和四波长状态,对应的LP11模式激光纯度分别为97.60%、97.54%、97.34%和97.19%.对称光纤模式选择耦合器制造工艺简单,性能稳定,为高阶横模光纤激光的获得提供了一种新的可选方案,在光通信、光传感等领域具有潜在的应用价值.

    对称光纤模式选择耦合器单模-少模-单模光纤滤波器多波长高阶横模

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    1.55μm高功率单横模半导体激光器的研制

    薛正群池炳坤陈玉萍
    1189-1195页
    查看更多>>摘要：1.55 μm高功率半导体激光器广泛应用于长距离主干网光网络、无人驾驶等领域,在应用系统中更高的激光出光功率有利于提升系统的工作距离和接收端的信噪比;随着光电子集成和共封装光学的快速发展,其高光电集成密度要求激光器具备低功耗等性能.本文通过优化激光器外延P-InP掺杂,激光器室温下串联电阻从3.2 Ω降低至2.2 Ω,器件电阻性能优于相同结构对比器件,300 mA电流下器件电功耗从510 mW降低至430 mW.进一步采用锥形波导结构提高激光器增益体积,测试结果显示,锥形波导结构使激光器出光功率提升17%以上,同时器件电功耗无明显增加;室温低电流下器件最高光电转换效率接近50%,与相关研究报道结果优值相当;远场测试结果显示,激光器水平方向发散角有效降低,同时器件光束质量未发生明显变化.实验结果为面向光电子集成应用的低功耗高功率半导体激光器提供了研究基础.

    1.55μmInP/InGaAsP高功率激光器P型掺杂锥形波导

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    铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度对高功率密度LED极限光电性能的影响

    黄林凤熊传兵汤英文袁慧...
    1196-1210页
    查看更多>>摘要：高功率密度LED器件能实现传统光源和普通LED器件无法实现的诸多功能,将半导体照明技术链推向了一个崭新的高度.在实际应用中,单颗LED器件需要在数百瓦及近100 A电流下工作,铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度均会对该类型LED器件的极限光电性能这一关键指标产生显著影响.本文将单颗极限电功率为300 W和200 W的两种规格的LED蓝光和白光器件,分5 μm、100 μm和200 μm三个焊锡厚度,分别贴片焊接在直径为20 mm、25 mm和32 mm三种不同面积的热电分离铜凸台基板上,测试了当散热器温度分别为25℃、50℃、75℃和100℃时蓝光LED器件光功率、白光LED光通量及其灯板导线焊点间的电压随电流的变化.同时,还研究了铜基板的导电铜箔厚度分别为70 μm和140 μm时,极限电功率为150 W的蓝光LED器件的I-L特性和I-V特性,并对其极限发光进行了研究.研究结果表明,焊锡厚度、铜基板面积和导电铜箔厚度均会对LED的极限发光强度和工作电压产生明显影响;减小焊锡厚度和增加铜基板面积能显著提高高功率LED器件的极限光强,P110和T90两种规格蓝光LED器件极限光功率的提升幅度高达16%和19%,白光器件极限光通量的提升幅度均高达15%左右;当铜箔厚度由70 μm增加到140 μm、散热器温度为25℃时,P70蓝光LED的极限光功率提升幅度为9.2%,50℃和75℃时极限光功率提升幅度为12.9%,100℃时极限光功率提升幅度为16.4%.

    高功率密度LED热电分离铜凸台基板焊锡导电铜箔

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