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发光学报
中国物理学会发光分会；中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发光学报

中国物理学会发光分会；中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申德振

月刊

1000-7032

fgxbt@126.com

0431-86176862，84613407

130033

长春市东南湖大路16号

发光学报/Journal Chinese Journal of LuminescenceCSCD北大核心CSTPCDEI
查看更多>>本刊主要反映我国发光学领域中在科研、技术和生产中的学术成就，开展国内外的学术交流，提高该领域内从事科研、教学、生产人员的技术水平。
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    基于准二维钙钛矿的窄线宽红光电致发光器件性能研究

    张云杰李晓丹郭晓阳刘星元...
    1211-1218页
    查看更多>>摘要：金属卤化物钙钛矿发光二极管(PeLEDs)具有宽色域和高色纯度,在照明和显示方面有着广阔的应用前景.英国伦敦大学研究团队发表于Scientific Reports的一项开创性研究发现,每天只需暴露在红光下3 min,就能显著缓解视力下降.而钙钛矿的光谱可调性及较高的色纯度都为护眼红光PeLEDs的实现提供了保障.与以往的界面工程、配体工程等不同,本文从结构优化的角度来提升准二维钙钛矿红光PeLEDs的外量子效率(EQE),即结合微腔结构实现线宽更窄的红光电致发光器件.结果表明,将分布式布拉格反射镜(DBR)与PeLEDs相结合,设计并制备的基于微腔结构的高性能PeLEDs在窄化PeLED的电致发光(EL)半高全宽的基础上实现了EQE成倍增长,最大EQE能达到11.26％.相较于同条件下制备的参比器件,具有微腔结构的PeLED器件EL线宽窄化到参比器件的1/3,仅为11 nm.

    准二维钙钛矿分布式布拉格反射镜红光电致发光半高全宽

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    数据驱动研制发光材料的策略与挑战

    黄霖解荣军
    1219-1231页
    查看更多>>摘要：人工智能在高效处理数据、精准预测、自动化执行任务以及个性化服务等方面为人类的生产、生活和科学研究带来了极大的便利.机器学习与高通量计算在材料领域的广泛渗透与成功应用,也为发光材料的研制开辟了新路径——通过算法进行高效挖掘和大规模数据处理,加速新材料的筛选与设计,进而推动材料的创新发现与应用进程.本文综述了近年来基于数据驱动发光材料研究的前沿进展,从相关研究案例出发,对数据驱动材料研究进行全流程梳理,详细阐述发光材料研制场景下数据获取阶段的重要性及实施策略,并对如何提取表征材料性能的核心特征进行分析,同时探讨发光材料领域适用的模型选择与优化方案.最后,就当前数据驱动式发光材料研究面临诸如高质量数据匮乏、复杂结构-性能关联模型构建困难的问题,从发光材料数据库平台的构建、高通量实验的实施以及相应数据生产规范的建立等方向提出突破设想.

    数据驱动发光材料机器学习高通量计算发光材料数据工厂

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    二维半导体的相干声学声子研究进展

    许文雄张何崔乾楠徐春祥...
    1232-1246页
    查看更多>>摘要：飞秒脉冲激光激发固体薄膜材料产生的相干声学声子可以快速无损获取发光材料与器件结构特性,对于光电器件功能界面的无损检测及成像具有重要意义.相较于热弹性机制的传统金属薄膜光声换能器,二维半导体材料具备宽谱吸收、表面原子级平整、层数易控等优良特性.飞秒激光激发二维半导体能原位产生相干声学声子振荡,为进一步发射超快声波脉冲获取界面信息创造了条件,广泛适用于无损评测发光器件的缺陷分布、力学性能和界面品质.本文主要介绍二维半导体中相干声学声子的研究进展,并讨论利用超快光声转换的高穿透深度、高时空分辨测量技术重大的科学意义与社会价值.

    二维半导体异质界面相干声学声子

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    碳点基电致发光器件研究进展

    禹珍珍任正李琮武泽芃...
    1247-1265页
    查看更多>>摘要：荧光碳点(CDs)具有原料广泛、无毒无污染、发光颜色可调、低成本和生物相容性等优异特点,在发光领域具有广阔的应用前景.近年来,基于CDs的电致发光器件已经取得了不错的成就.本文总结了基于CDs的电致发光器件的最新进展,并且重点论述了合成高效CDs和调控器件结构以获得高性能器件的可行性策略.此外,结合CDs在电致发光器件应用中的发展现状以及未来需求分析,本文对实现高性能CDs基电致发光器件进行了展望.

    碳点电致发光发光二极管(LED)性能全溶液

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    金属卤化物闪烁体薄膜的X射线成像研究进展

    王鲁凯林宏健吴坤曹亭亭...
    1266-1280页
    查看更多>>摘要：X射线成像在核辐射安全、无损检测、安全检查、医学诊断等领域有着广泛需求.然而,传统闪烁单晶受限于高成本耗时工艺、有限体积尺寸以及固有脆性,难以实现高效、灵活的X射线成像.相较而言,基于金属卤化物纳米晶/微晶设计的闪烁体薄膜具有简便制备、大面积尺寸、柔性变形、高效发光等显著优点,在X射线成像应用上展现出巨大潜力.本文详细综述了近几年金属卤化物闪烁体薄膜的X射线成像研究进展,首先以是否单独合成金属卤化物纳米晶/微晶为依据,将金属卤化物闪烁体薄膜制备方法概括分为两类:晶体复合成膜法、原位结晶成膜法,对比分析了两类制备方法的优缺点;其次明晰了金属卤化物晶体的发光机理,对改善闪烁体薄膜发光性能做出指导,并据此总结发光效率提升方法;再次归纳了与金属卤化物闪烁体薄膜X射线成像应用相关的各种性能,主要包括空间分辨率、柔韧性、稳定性和自修复性;最后根据研究现状对闪烁体薄膜进行总结与展望.

    金属卤化物晶体闪烁体薄膜X射线成像辐射发光制备方法

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    基于FAPbBr3钙钛矿纳米晶体的非线性吸收和低阈值双光子泵浦放大自发辐射

    王亚娟TAY Yong Kang Eugene王芳余盛...
    1281-1291页
    查看更多>>摘要：甲脒铅溴(FAPbBr3)钙钛矿纳米晶因其更标准的绿光发射、优异的稳定性和载流子传输特性而被认为是一种良好的光电材料.然而,FAPbBr3纳米晶体的双光子泵浦放大自发辐射(ASE)和相应的非线性光学特性却很少被报道.本文在室温下通过改变前驱体溶液中FABr/PbBr2的摩尔配比,利用配体辅助沉淀(LARP)技术合成了不同尺寸的胶体FAPbBr3纳米晶体.测量了光致发光(PL)和时间分辨光致发光光谱(TRPL),以表征其ASE特性.并利用Z扫描技术和双光子激发荧光方法研究了它们的非线性光学特性.实现了FAPbBr3纳米晶的单光子和双光子泵浦放大自发辐射,阈值分别低至9.8μJ/cm2和487μJ/cm2,具有大的双光子吸收系数(0.27 cm/GW)和高的非线性吸收截面(7.52×105 GM).这些结果表明,作为一种新的有前景的低阈值绿光发射频率上转换材料,FAPbBr3纳米晶在开发高性能双光子泵浦激光器方面具有巨大的潜力.

    钙钛矿FAPbBr3纳米晶非线性光增益放大自发辐射

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    高显色指数白光LED用新型单组分固态碳点的制备

    黄彩艳田蕊张朵段婷婷...
    1292-1300页
    查看更多>>摘要：近年来,高显色指数白光LED照明需求对LED产业提出了新的挑战.碳点作为21世纪一种新型的纳米材料,因其具有制备工艺简单、稳定性高、光学可调谐及宽发射等优点,有望成为理想的高显色指数白光LED器件的单组分荧光粉.然而,碳点的聚集诱导荧光猝灭效应大大限制了其在固态照明上的应用发展.本文以菲啰啉为原料,采用微波法在温和制备工艺下合成出高效的荧光碳点,并通过掺杂技术实现该碳点的表面官能团调谐,成功地实现了一步法制备具有抗聚集诱导荧光猝灭效应的单组分固态碳点荧光粉,可应用于高显色指数白光LED器件,其固态量子产率高达37％,以它为荧光粉制备的白光LED表现出优异的光电性能.

    固态发光碳点LED

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    噻吩乙烯类化合物的合成、聚集诱导发光和力致变色性能

    梅群波冯望翟有马雪燕...
    1301-1310页
    查看更多>>摘要：大多数发光材料固态下或高浓度掺杂时由于强的荧光猝灭而使其应用受到很大限制,开发能在聚集状态下呈现优异发光性能的新材料就显得尤为重要.本文设计并合成了4个基于噻吩乙烯骨架结构的噻吩乙烯类化合物Br-thph、Br-2thph、Thph-czm和2Thph-czm,并详细研究了该类化合物在稀溶液下、聚集态以及固态薄膜下的光物理性质.结果表明,4种化合物均具有明显的聚集诱导发光性质,在稀溶液中发光较弱,而随着浓度的增加或在聚集态下时呈现很强的发光.其中,Br-thph和Br-2thph聚集态发光相较稀溶液下发光分别增强410倍和180倍,Thph-czm和2Thph-czm增强了78倍和40倍,且4个化合物都具有较为明显的力致变色效果,呈现出一定的光谱蓝移.对这些化合物性质的初步探究表明,这类新型噻吩乙烯类化合物衍生物在防伪和显示等领域具有潜在的应用价值.

    乙烯噻吩咔唑聚集诱导发光(AIE)力致变色

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    Zn2+掺杂MgGa2O4:Ni2+近红外二区发光材料制备、表征及其成像应用研究

    张琳杨健李胜男王帅...
    1311-1324页
    查看更多>>摘要：通过水热法结合后期真空热处理的方法制备了具有反尖晶石结构的ZnxMg0.993-xGa2O4:0.7％Ni2+(x=0～0.5)(ZMGO︰Ni2+)近红外二区(NIR-Ⅱ:1000～1700 nm)荧光粉.随着Zn2+掺杂量的增加,ZMGO︰Ni2+粉体样品的粒子尺寸逐渐变大.在635 nm激光激发下,可观测到粉体样品位于～1279 nm处的宽带发射峰,其可被归属为Ni2+的特征发射.此外,Zn2+掺杂使样品荧光猝灭的热激活能由244 meV减小到224 meV.采用发光强度最强的ZMGO︰Ni2+粉体样品与620 nm红光LED芯片封装成NIR-Ⅱ荧光粉转换LED(NIR-Ⅱpc-LED),并基于NIR-Ⅱ光穿透能力强和不产生生物组织自荧光的特性,以NIR-Ⅱpc-LED为光源,分别研究了其在有遮挡情况的夜视成像和生物组织成像上的应用.

    光致发光过渡金属离子近红外二区荧光粉

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    NH3/N2复合热退火技术改善高浓度Mg掺杂GaN材料性能

    蒋宗霖闫丹张宁魏同波...
    1325-1333页
    查看更多>>摘要：研究了NH3/N2复合热退火技术对高浓度Mg掺杂GaN材料晶体质量、发光性质及导电性能的影响.实验结果表明,相较于传统N2氛围高温热退火后处理工艺而言,NH3氛围高温热退火后处理工艺可以改善高浓度Mg掺杂GaN材料的晶体质量,同时可以增进Mg受主原子的有效掺杂,使得其光致发光谱中蓝光峰强度增强.采用NH3氛围高温热退火结合N2氛围低温热退火后处理工艺复合技术制备得到的高浓度Mg掺杂GaN材料内部背景电子浓度显著降低.这是由于在NH3氛围高温热退火后处理工艺中,NH3的热分解产物能够有效降低材料内N空位和间隙Ga原子等浅施主型缺陷浓度,最终改善高浓度Mg掺杂GaN材料的导电性能.

    氮化镓Mg掺杂热退火工艺氨气

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