查看更多>>摘要:设计合成了一种新的基于苯并噻二唑的电子给体(D)-电子受体(A)型高分子阻变存储材料聚{[4,4′-(2,7-二苯基-9H-芴-9,9-二基)双(N,N-二苯基氨)]-alt-[4,7-双(4-正十二烷基-5-乙烯 基 噻 吩-2-基)-苯 并[c][1,2,5]噻 二 唑]}(PFVT).以 PFVT为 活 性 材 料 制 备 的Al/PFVT/ITO(ITO:氧化铟锡)器件在室温下展现了非易失性阻变存储(RRAM)性能.器件经过50次开启、关闭循环操作,获得的平均开启和关闭电压分别为(-0.54±0.01)V和(2.42±0.05)V,电流开/关比为1.50×103.在循环操作期间的编程电压变化小于2.1%,器件展现出优良的可靠性.经 200℃退火处理后,薄膜材料的结晶性增加,器件的平均开启和关闭电压减小,分别为(-0.49±0.01)V和(2.27±0.02)V.器件存储机制归属于电场诱导的分子内电荷转移.利用空间电荷限制电流模型和欧姆电流模型可以分别完美拟合OFF态和ON态电流.为了比较,用苯环替代高分子结构中的 9,9-二(4-二苯胺基苯基)-芴单元,合成了聚{4-(4-十二烷基-5-(4-甲基苯乙烯基)噻吩-2-基)-7-(4-十二烷基-5-(丙烯-1-基)噻吩-2-基)苯并[c][1,2,5]噻二唑}(PPVT),该材料展现出类似的阻变存储性能.与PFVT相比,PPVT的开启电压明显变大,而电流开/关比则小了一个数量级,用苯环取代大体积芴单元后材料的热稳定性急剧下降,带隙增大.