查看更多>>摘要:本文研究了用于3C-SiC薄膜选择性生长的Si基图形化衬底上不同厚度SiO2掩膜层的稳定性与温度的关系.通过在Si(100)衬底上干氧氧化制备300 nm厚度和500 nm厚度的SiO2掩膜层,采用光刻和湿法刻蚀工艺将SiO2层刻蚀成周期性条形结构.光学显微镜图像表明,对于300 n m厚的S i O2掩膜图形层在真空气氛中1200℃,保持16 min后发现高温处理不但使Si衬底表面的SiO2掩膜图形消失,还会造成掩膜层下的Si衬底被过度反应,整个Si衬底表面变粗糙.在同样的温度和时间条件下,通入H2(100 sccm)处理后仅发现SiO2掩膜层消失;通入H2与C2H2(3 s c c m)混合气体处理后,发现加入C2H2对S i O2掩膜层影响并不明显;而500 n m厚度的S i O2掩膜层在同样3种条件下处理后能保持大面积的完整度.
查看更多>>摘要:众创空间是科技创新服务实体经济的重要载体,近年来,国家和各省市也越来越重视众创空间的发展.在此背景下,本文依据《中国火炬统计年鉴》中关于众创空间的相关指标类型,构建了评价众创空间效率的指标体系,选取2018年和2019年全国各地区众创空间指标数据作为研究样本,运用D E A模型对各地区众创空间运行效率进行了评价研究,并在此基础上提出了相应的对策建议,为各地区众创空间高质量发展提供参考依据.