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期刊信息/Journal information
激光技术
西南技术物理研究所
激光技术

西南技术物理研究所

侯天晋

双月刊

1001-3806

jgjs@sina.com

028-68011091

610041

成都238信箱

激光技术/Journal Laser TechnologyCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊是经国家科学技术部(原国家科委)批准向国内外公开发行的学术性刊物，是我国无线电电子学、电信技术类及物理类中文核心期刊，属国家级科学技术刊物。本刊紧密跟踪国内外高技术的进展和开拓性新领域的动态，主要报道国内外与激光有关的光学、电子学等领域内不同发展时期的新材料、新工艺、新技术、新元件、新的工程应用中有创新的学术论文和有创见的综述性文章。
正式出版
收录年代

    基于保偏布喇格光栅的窄线宽半导体激光器

    陈加齐陈超孙晶晶张建伟...
    771-776页
    查看更多>>摘要：为了研制面向量子精密测量应用的近红外波段光纤光栅外腔半导体激光器,采用独立设计的高偏振依赖增益芯片和双折射光纤布喇格光栅,通过法布里-珀罗等效谐振腔模型,系统分析了光栅反射率、外腔和芯片长度对激光线宽的影响.结果表明,所研制激光器实现了 54.46 mW的输出功率、58.88 dB的边模抑制比和24.46 dB的偏振消光比,利用延迟自外差拍频方法测得的洛伦兹线宽低至2.69 kHz.此研究为独立设计制备分立器件的单频窄线宽外腔半导体激光器提供参考,有望应用于雷达成像、陀螺仪、磁力仪和原子钟等量子精密测量领域.

    激光器窄线宽延迟自外差拍频量子精密测量

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    垂直腔面发射激光器阵列的热设计研究进展

    金冬月洪福临张万荣张洪源...
    777-789页
    查看更多>>摘要：垂直腔面发射激光器(VCSEL)通常采用由小尺寸发光单元并联的2维阵列结构来提高输出光功率、改善激光光束质量,然而随着芯片尺寸不断缩小以及阵列集成度不断提高,由VCSEL单元自身功耗引起的自加热效应及各单元之间的热耦合效应将导致VCSEL阵列结温急剧上升,在热-光-电反馈作用下,将严重制约VCSEL阵列的光学性能及热可靠性,对VCSEL阵列热设计提出了迫切要求.在阐明VCSEL阵列产热机理的基础上,从热-光-电模型建立、热设计方法两方面归纳总结了 VCSEL阵列热设计最新进展,并对热设计发展趋势进行了展望.

    激光器2维阵列热-光-电模型热设计

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    高性能锑化物中红外半导体激光器的研究进展

    曹钧天杨成奥陈益航余红光...
    790-798页
    查看更多>>摘要：半导体材料体系经历了 3次重要迭代,在微电子、通信、人工智能、碳中和等重要领域得到了广泛应用.随着高新技术的快速发展,锑化物半导体作为最具发展前景的第4代半导体材料之一,在开发下一代高性能、小体积、低功耗、低成本的红外光电器件领域具有独特的优势和广阔的应用前景.综述了锑化物半导体激光器的发展过程和国内外的研究现状,分析了器件结构设计、材料外延、模式选择、波长扩展等关键问题,阐述了采用分子束外延技术生长高性能锑化物量子阱激光器,实现大功率、单模、高光束质量的锑化物激光器的设计方案和关键工艺技术,并对兼具低成本、高成品率、大功率等优异特性的单模锑化物激光器的研究前景进行了展望.

    激光器锑化物中红外量子阱激光器

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    GaAs基近红外锥形半导体激光器的研究进展

    吕梦瑶王浩淼贺钰雯周智雨...
    799-808页
    查看更多>>摘要：基于GaAs衬底的近红外波段半导体激光器已经取得了显著的发展.在大功率研究方面,因为可以同时实现高功率、高光束质量的优良特性,主振荡功率放大器结构的锥形半导体激光器成为了广受关注的研究热点.归纳了近年来国内外关于GaAs基锥形激光器的代表性研究成果,讨论了激光器器件结构设计(包括脊形区、锥形区以及布喇格光栅等的设计)和外延层优化在理论研究及实验方面取得的进展;围绕高功率、高光束质量、高亮度、窄线宽应用需求,总结整理了锥形激光器的研究进展与性能特征;对本团队关于锥形激光器的研究工作进行了简要介绍;并展望了锥形激光器未来的发展方向.

    激光器锥形半导体激光器器件结构设计外延优化

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    基于4H-SiC APD单光子探测的主动淬灭电路研究

    陶晓强李天义徐尉宗周东...
    809-815页
    查看更多>>摘要：为了对比不同类型淬灭电路对4H-SiC雪崩光电二极管(APD)探测性能的影响,采用被动淬灭电路(PQC)和主动淬灭电路(AQC),对两种类型SiC紫外APD进行了单光子探测实验,发现在PQC较长死区时间内,会频发后脉冲现象,导致APD的暗计数率(DCR)较高,从而降低器件的信噪比;对APD后脉冲概率的时间分布进行了研究,并进一步对AQC在更高器件过偏压下单光子探测中出现的问题进行了分析,提出了电路改进方案.结果表明,通过将AQC死区时间调整至45 ns,在相同单光子探测效率下,可将器件DCR减少至原先水平的1/4;通过有效抑制后脉冲和加快APD恢复速度,AQC可使器件展现出更加优越的探测性能.此研究为SiC APD在单光子探测中的应用提供了一定的参考.

    传感器技术雪崩光电二极管主动淬灭电路4H-SiC单光子探测

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    基于带隙基准的改进型像元共享CTIA红外读出电路设计

    王坤关晓宁康智博张凡...
    816-821页
    查看更多>>摘要：为了提高红外读出电路动态范围、增强红外成像质量,加入暗电流抑制模块电路,设计了一种四像元分时共享的电容反馈跨阻放大器(CTIA)和带隙基准源相互配合的高性能红外读出电路.通过带隙基准源产生两个基准电压586 mV和293 mV,其中293 mV基准电压值的温漂系数达到1.49 ×10-6/℃,可对分流管的栅极和源极提供稳定的电压偏置,实现对暗电流的精准撇除.结果表明,该电路可实现电流信号从10 pA～10 nA宽动态范围的积分电压读出,读出数据通过线性拟合,拟合优度R2达到0.9992,说明电路性能良好.此研究未来可应用到线列和面阵的红外探测器中.

    探测器读出电路暗电流抑制像元共享带隙基准

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    T2SL红外探测器高量子效率机理的研究进展

    杨雪艳孙童关晓宁赵雅琪...
    822-831页
    查看更多>>摘要：二类超晶格(T2SL)红外探测器灵敏度高、响应速度快,适用于更远距离成像、更高速度的运动目标追踪.量子效率(QE)是决定光电探测器能否高质量成像的关键指标之一,提高T2SL红外探测器的QE具有重要意义.为了更直观地理解T2SL红外探测器QE的提高方式,梳理了中长波T2SL红外探测器提高QE的方法,归纳了 QE在不同调控手段下能达到的程度,重点讨论了能带结构设计、吸收层厚度设定、吸收层掺杂类型选择、材料改进等方面对T2SL红外探测器QE的影响情况,并对T2SL红外探测器高QE的研究现状和未来发展进行了展望.

    探测器二类超晶格量子效率吸收层

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    基于SiN平板波导光栅的128通道光学相控阵

    马鹏飞于磊王政王鹏飞...
    832-837页
    查看更多>>摘要：为了避免全硅光学相控阵(OPA)的输出光功率饱和现象以及氮化硅的低移相效率,采用硅与氮化硅相结合的设计思路,在实现高功率输入的同时保证了调相效率;此外,硅基集成OPA为了避免通道间的相互耦合所引起的相位噪声,波导间距大于半波长,导致栅瓣的存在,进而使得扫描范围受限,故采用硅波导作为天线前的输入波导,以减小阵元间距.结果表明,芯片最终实现了 41°×7.4°的扫描范围以及10.7dB的芯片损耗.该研究对于OPA芯片的进一步改进是有帮助的.

    集成光学衍射光栅光学相控阵

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    负热淬灭对富受主型ZnO微米管光电性能的研究

    潘永漫闫胤洲张永哲王强...
    838-845页
    查看更多>>摘要：为了研究ZnO本征缺陷种类与浓度对激子跃迁复合和载流子输运特性的影响,采用改进的光学气化过饱和析出法制备了本征富受主型ZnO(A-ZnO)微米管.通过氧气生长气氛实现了施主-受主对和中性受主束缚激子A0X的浓度调控,揭示了缺陷浓度调控中间态能级产生负热淬灭效应的机制.结果表明,通过提高浅受主缺陷浓度以及提升中间态能级位置,可将A-ZnO微米管的电阻率下降7倍,紫外光响应时间缩短51％,实现了 A-ZnO微米管的导电性增强和高效紫外探测.此研究结果为ZnO微纳结构半导体光电器件性能调控提供了新思路.

    光电子学负热淬灭光致发光紫外探测

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    基于2维材料的异维结构光电探测器的研究进展

    王旭乐程碑彤蒋若梅周咏...
    846-855页
    查看更多>>摘要：基于2维材料的光电探测器是新一代探测技术的重要发展方向.2维材料因不受晶格匹配的限制,可以利用范德华力与其它维度的材料,如0维的量子点、1维的纳米线、3维的半导体衬底等,形成异维结构的光电探测器.迄今为止,基于2维材料的异维结构光电探测器研究已经取得了很大的进展,实现了显著优于单纯2维材料探测器的性能.归纳了异维结构范德华异质结在光电探测中的优势;指出了 2维材料与0维材料、1维材料、3维材料或多层多维度材料组成的异维结构光电探测器的研究现状;并在此基础上,对其面临的挑战和前景进行了总结与展望.

    探测器2维材料范德华异质结异维结构

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