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期刊信息/Journal information
真空
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陆国柱

双月刊

1002-0322

zkzk@chinajournal.net.cn

024-24110136

110042

辽宁省沈阳市万柳塘路2号

真空/Journal Vacuum北大核心CSTPCD
查看更多>>本杂志是中国真空界主要杂志之一。自1994年真空杂志转换经营机制以来，由我国真空企业界实力雄厚的厂家与杂志社联办成立董事会，并由真空学术界著名学者组成编委会。社会效益与经济效益与日俱增，在国内真空界享有盛誉。自1989年公开发行以来，被美国、英国、德国、日本、意大利、韩国以及港澳地区越来越多的海外学者所关注。
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    双螺杆真空泵新型正弦螺旋线型螺杆转子的设计与分析

    赵玺皓赵利壮王君李雪琴...
    1-6页
    查看更多>>摘要：现有螺杆转子的截面型线有尖点且接触线不连续.针对该问题,同时为了简化截面型线的组成,本文采用正弦螺旋线光滑连接齿顶与齿根圆弧,进而提出了一种新型全啮合的正弦螺旋线型螺杆转子.构建了正弦螺旋线及其共轭曲线的啮合模型,进而推导得到了截面型线的方程.分析了新型截面型线的半径比和螺旋线中心角对双螺杆真空泵工作性能的影响,并给出了其合理的取值范围.结果表明,所提出的新型全啮合螺杆转子的截面型线完全光滑,空间接触线连续,有利于提高双螺杆真空泵的性能.

    双螺杆真空泵新型螺杆转子正弦螺旋线工作性能

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    CSNS反角白光中子源真空系统

    王鹏程孙晓阳敬罕涛黄涛...
    7-11页
    查看更多>>摘要：在中国散裂中子源(CSNS)大科学平台中,利用高能质子加速器产生的1.6GeV高能质子轰击固体钨靶,在靶前产生的反向中子束流,经质子通道返回,并引出到中子实验区,被称为反角白光中子源(Back-n),其具有能谱宽(0～200MeV)、中子产额大(2×1016n/s)等特点,适合进行核数据测量等高能物理研究.该反角白光中子源真空系统,由和高能质子束流共用的26m超高真空系统和专供中子束流通过的54m高真空系统组成,两个真空系统采用不同的真空获得方案和工艺路线,并用中子束窗隔开,在超高真空侧安装有超高真空插板阀,避免中子束窗损坏后影响加速器的运行.本文介绍了该真空系统的设计及运行情况,其建成为白光中子源的实验研究提供了良好的真空条件.

    反角白光中子源(Back-n)超高/高真空系统运行

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    真空试验压力变化数值模拟研究

    刘胜崔寓淏窦仁超师立侠...
    12-15页
    查看更多>>摘要：如今越来越多航天器真空试验过程中需要检测试验件内部气体压力,虽然直接安装传感器进行测量最有效且最准确,但是某些试验件内部无法安装传感器,使得直接测量的方法难以实现.本文利用蒙特卡洛方法,对分子流状态下试验件内部压力变化进行数值模拟.建立了试验件几何模型,考虑了试验件材料放气,计算了分子流状态下试验件内部真空度随时间的变化规律,最终得到真空试验过程中试验件内部压力变化过程.本文为航天器真空试验过程中某一特定位置压力值的预估提供了理论依据.

    真空度蒙特卡洛法分子流数值模拟

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    基于ANSYS的MEMS离子源测试用高真空腔设计与分析

    周缘冉澳吴奕恒谢元华...
    16-19页
    查看更多>>摘要：设计了一种适用于MEMS离子源测试用的高真空腔体.根据目前质谱测试用高真空腔的相关研究,针对高真空获得能力、保持能力及频繁使用的简便性,综合考虑结构强度、内壁出气等因素,选用了同时满足强度与低出气率的筒型结构.基于ANSYS软件,综合分析了高真空下该腔体的结构稳定性及危险点分布,确定了优化的腔体壁厚选择范围.该研究可为高真空腔体的设计提供理论依据.

    ANSYS高真空腔体出气MEMS离子源

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    基于unity3D平台的虚拟真空获得设备性能测试系统开发

    胡戎兴章恒余清洲舒晓冬...
    20-24页
    查看更多>>摘要：开发了一套虚拟仪器实验系统.其基于unity3D平台,实现了设备虚拟化、模拟实验操作、人机交互等功能,满足了学校教学及企业员工培训的要求.开发的系统有两种形式,一是VR场景实现,二是客户端APP形式,分别适用于不同场景,满足不同的教学培训需要.借助VR的新型教学、培训方式也为以后此类平台的开发提供参考.

    真空获得设备性能参数参数检测虚拟现实unity3D

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    快速减压环境模拟系统中减压时间的近似计算方法

    李卓慧路同山刘家林孙松刚...
    25-28页
    查看更多>>摘要：为了预测快速减压环境模拟系统中舱内气体压力下降的时间,依据流体力学孔口出流原理,建立了快速减压近似理论计算模型,并给出了数值迭代计算方法,同时利用有限元仿真方法对压力平衡过程进行分析,搭建了一套试验系统,在不同试验条件下,将两种分析方法得出的结果与试验数据进行对比,验证了计算方法的正确性及可行性.

    快速减压数值迭代有限元仿真环境模拟系统

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    调制结构对Cr-CrN-Cr-CrAlN多层膜性能的影响

    谌曲平林松盛刘灵云郭朝乾...
    29-34页
    查看更多>>摘要：为提高钛合金的服役性能,采用真空阴极电弧离子镀技术,在TC4钛合金上制备不同RCr-CrN:RCr-CrAlN调制比的多层膜.使用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、显微硬度计、划痕仪、应力测试仪和砂粒冲蚀试验仪检测并分析了多层膜的截面形貌、结构、厚度、硬度、结合力、残余应力和抗砂粒冲蚀性能等.重点研究了RCr-CrN:RCr-CrAlN调制比对多层膜性能的影响.结果表明:所制备的多层膜厚度均在7～8μm,过渡层约1.5μm厚,单一周期厚度在150～200nm;膜层均呈现(200)择优生长面心立方结构;随着Cr-CrAlN层占比的增加,膜层的硬度、残余应力和膜基结合力均相应地上升;在90°攻角下不同调制比的多层膜未完全破损前,其抗砂粒冲蚀能力是TC4基材的3倍以上,而在30°攻角下多层膜的抗砂粒冲蚀能力则约为TC4基材的8倍;RCr-CrN:RCr-CrAlN调制比为1:2时所制备的多层膜具有最佳的综合性能.

    调制比多层膜抗砂粒冲蚀性能电弧离子镀钛合金

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    入射能量对外延生长Cr薄膜表面粗糙度和膜基结合强度的影响:分子动力学模拟

    胡天时田修波刘向力巩春志...
    35-40页
    查看更多>>摘要：过渡层是改善膜基关系,提升薄膜质量的关键因素.本文针对常见过渡层材料Cr的外延生长过程进行了分子动力学模拟.通过对沉积过程中薄膜的表面形貌、粗糙度、径向分布函数以及膜基结合强度进行分析,研究了入射能量对薄膜质量的影响.结果表明:沉积初期,膜基界面相互作用是影响薄膜生长方式的主要因素;随入射能量升高,表面粗糙度上升,薄膜由层状生长转变为岛状生长;随沉积过程进行,低能沉积(15～50eV)时薄膜表面粗糙度逐渐升高,而高能沉积(75eV)时在刻蚀作用下表现出相反趋势,表面粗糙度逐渐降低;同时,较低能量范围沉积时膜基界面在浅注入作用下被破坏,削弱了膜基结合强度;进一步提高沉积可通过形成成分梯度层,改善膜基结合效果.本文的研究结果对于薄膜沉积过程具有重要指导意义:镀膜过程中提高入射能量并不一定能起到积极效果,沉积粒子能量必须控制在合适的范围.

    入射能量生长模式表面粗糙度结合强度分子动力学

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    用于电子束蒸镀金属银膜的钨坩埚改造

    付学成乌李瑛栾振兴毛海平...
    41-45页
    查看更多>>摘要：采用钨坩埚和电子束蒸发设备蒸镀金属银薄膜时,银在熔融状态下和钨坩埚是浸润的,坩埚内熔融金属的液面呈凹陷形状.这类凹陷形状的蒸发源,常常会导致被沉积薄膜的均匀性变差.根据固体表面微结构会改变液体与固体接触角的理论,本文尝试用化学腐蚀的方法在光滑平整的钨坩埚内壁上加工出沟槽阵列,来改变熔融金属材料与钨坩埚内壁的接触角,从而改变液态银与钨坩埚壁的浸润性.结果表明,当沟槽宽约1mm,深约0.5mm,周期约2mm时,熔融的金属银和钨坩埚内壁不再浸润.用改造前和改造后的钨坩埚分别蒸镀厚度100nm的银膜,发现改造后的钨坩埚可以有效提高蒸镀薄膜的均匀性.

    电子束蒸发钨坩埚银薄膜微结构均匀性

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    双离子束溅射ITO薄膜在电磁屏蔽窗口中的应用

    王松林杨崇民张建付李明伟...
    46-51页
    查看更多>>摘要：为了研究ITO薄膜在宽角度电磁屏蔽激光窗口中的应用效果,采用双离子束溅射镀膜技术在不同工艺条件下制备了ITO薄膜,根据薄膜的光电性能测试结果,分析了氧气流量、辅助离子源、基片烘烤温度等工艺条件对ITO薄膜透光性和导电性的影响.用Ti2O3和SiO2作为高、低折射率材料,ITO薄膜作为电磁屏蔽膜层,在K9玻璃基片上设计了对2～18GHz电磁波高效屏蔽的0°～45°宽角度入射的1064nm激光窗口膜层,并利用双离子束溅射技术在合适的工艺条件下完成了薄膜的制备.测试结果显示,制备的薄膜透光性和电磁屏蔽性能良好,具有一定的耐酸性,适合作为高效电磁屏蔽、0°～45°宽角度入射的1064nm激光窗口膜层.

    双离子束溅射ITO薄膜电磁屏蔽宽角度入射激光窗口

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