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期刊信息/Journal information
电源学报
中国电源学会,国家海洋技术中心
电源学报

中国电源学会,国家海洋技术中心

韩家新

双月刊

dianyuan@126.com

022-27686327

300111

天津市南开区咸阳路60号

电源学报/Journal Journal of power supplyCSCD北大核心
查看更多>>《电源学报》是我国电源领域权威性的学术期刊，中国科学引文数据库CSCD统计源刊，2018年入编《中文核心期刊要目总览》（2017年版），全国中文核心期刊，知网、万方和维普三大数据库全文收录和检索。充分发挥学科优势，体现电源领域的研究新趋势和制高点，代表中国电源科技界的最高学术水平。2011年创刊，双月刊，单月月底出刊，中国电源学会主办。自创刊以来，始终坚持“跟踪国内外电源相关新理论、新技术、新成果，促进国内外电源企业技术及产品的交流合作，推动我国电源产业的发展。”的办刊宗旨，报道电源领域相关前沿技术以及应用领域的新理论、新技术和新成果，注重论文的原创性、创新性、专度和深度，促进该电源及相关领域学术、技术和信息交流，推动其理论研究和工程技术的进步，驱动我国电源产业的创新发展。
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收录年代

    基于高斯过程回归的永磁同步电机非线性磁链辨识

    刘忠永范涛何国林温旭辉...
    172-181页
    查看更多>>摘要：在新能源汽车发展领域,以碳化硅为代表的新一代半导体功率器件正在逐步取代硅基IGBT,崭新的技术生态对电机控制性能也有了更高的要求.从传统的PI控制、直接转矩控制到模型预测控制、神经网络控制等新算法,电机参数的精准度逐渐成为电控系统进一步提升性能的关键因素.针对永磁同步电机经典线性模型受交叉饱和等非线性因素影响不能适用于复杂多变工况的问题,提出基于高斯过程回归的非线性磁链辨识方法,使用二阶广义积分器获取动态工况中的磁链数据完成系统辨识,通过仿真与实验验证了该方案的有效性及参数辨识的准确性.

    碳化硅电机控制参数辨识高斯过程回归

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    具有软启动功能的EMI直流滤波器设计

    王盼徐虎袁雷徐岸非...
    182-189页
    查看更多>>摘要：宽禁带半导体器件的应用使电动汽车的电机驱动系统更加小型化和轻量化,但也引发了更为严重的电磁干扰,使得驱动系统的可靠性面临严峻挑战.为此,以24V/2A的EMI直流滤波器为例,通过噪声源、滤波器原理及阻抗影响的分析,依据插入损耗指标进行滤波器参数设计.同时,考虑到整车启动时刻的启动冲击,加入软启动电路,进一步提高电动汽车驱动系统可靠性.实验测试验证了滤波器的电磁干扰抑制效果和软启动性能,证明了滤波器设计的可行性和有效性.

    宽禁带半导体器件电动汽车EMI滤波器插入损耗软启动

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    SiC功率模块引线键合参数优化与可靠性分析

    李乐洲兰欣何志伟程勇...
    190-198页
    查看更多>>摘要：在汽车电力电子器件开发技术中,功率模块正朝着小型化和高功率密度方向发展,而汽车动力装置的高频通断操作会增加键合线的疲劳失效风险.为了提高键合强度及可靠性,首先从键合原理角度出发,揭示键合参数在不同阶段的作用机理,利用单因素实验得到各参数的优化区间;然后通过数值计算与老化实验相结合的方法系统性研究了键合线材料对键合可靠性的影响.结果显示,Cu键合线的最高温度、最大等效应力均高于Al键合线,但受材料属性影响,Cu键合线的最大塑性应变仅为Al键合线的1/2,根据功率循环实验,其寿命约为Al键合线的4倍,并且Cu线键合质量分散性大,单根键合线脱落引起监测信号阶段性跃升的现象可以成为日常工作中的失效预警信号.

    功率模块键合参数寿命预测功率循环

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    压接式IGBT健康管理方法综述

    肖凯王振严喜林刘叶春...
    199-210页
    查看更多>>摘要：压接式IGBT功率器件是新型电力系统应用装备中的核心部件,对其健康管理可提升IGBT使用寿命与运行可靠性,保障新型电力系统的安全稳定.首先介绍压接式IGBT器件的封装结构和主要失效模式;其次以特征参数类型的不同,对现有健康状态监测方法进行分类阐述和分析;然后归纳现有压接式IGBT寿命预测方法的原理和特点;最后对现有的健康管理技术进行综合对比分析,并指出压接式IGBT健康管理方法需要进一步研究的问题和未来发展趋势.

    压接式IGBT健康管理状态监测寿命预测老化失效

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    动态高温反偏应力下的SiC MOSFET测试平台及其退化机理研究

    左璐巍辛振蒙慧周泽...
    211-219页
    查看更多>>摘要：为研究SiC MOSFET在动态漏源应力下的退化机理,开发了一种具有dV ds/dt可调功能、最高可达80V/ns的动态反向偏置测试平台.针对商用SiC MOSFET进行动态高温反偏实验,讨论高电压变化率的动态漏源应力对SiC MOSFET电学特性的影响.实验结果显示,器件的阈值电压和体二极管正向导通电压增加,说明器件JFET区上方的栅氧层和体二极管可能发生了退化.通过Sentaurus TCAD分析了在高漏源电压及高电压变化率下平面栅型SiC MOSFET的薄弱位置,在栅氧层交界处和体二极管区域设置了空穴陷阱,模拟动态高温反偏对SiC MOSFET动静态参数的影响.

    动态高温反偏测试退化机理SiCMOSFET可调dVds/dt

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    雪崩晶体管电压斜坡触发模式下终端失效机理研究

    温凯俊梁琳陈晗
    220-226页
    查看更多>>摘要：随着超宽带脉冲信号系统在新能源汽车智能化感知技术等许多重要领域的应用,高幅值、快前沿脉冲源的研发得到了广泛研究.针对纳秒级前沿脉冲对超快功率半导体开关的需求,进行了雪崩晶体管在电压斜坡触发模式下终端失效机理的研究.利用仿真模型的静态特性与器件样品进行对比分析,测试了器件样品的动态开通特性.在成功得到纳秒级开通速度器件的基础上,对器件在电压斜坡触发模式下出现的失效现象进行了分析.

    雪崩晶体管二次击穿半导体器件建模Marx电路失效分析

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    压接式IGBT寿命评估软件开发与案例分析

    肖凯王振严喜林刘叶春...
    227-235页
    查看更多>>摘要：压接式IGBT功率器件是新型电力系统应用装备中的核心部件之一.由于电力设备工作环境复杂,工况多变,长期作用下会导致功率器件发生疲劳失效.为保证电力系统关键设备的安全稳定运行,需要对压接式IGBT器件的剩余寿命进行评估,从而在器件发生失效前及时进行相应的处理.首先通过建立压接式IGBT器件多物理场模型分析影响器件老化进程的力学参数;然后,基于分析结果,在现有寿命预测模型中选取适合于压接式IGBT的模型,并开发适用于压接式IGBT的寿命评估软件;最后用寿命评估软件进行案例分析,得到器件的寿命评估结果,对器件的应用提供了指导.

    压接式IGBT多物理场模型老化失效特征参量寿命预测

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    基于改进SqueezeNet算法的VBE设备电路板元件失效识别研究

    刘隆晨杨玥坪贾志杰黄宇...
    236-247页
    查看更多>>摘要：在直流输电系统中,换流阀阀基电子VBE(valve base electronics)设备的稳定运作对维护直流系统安全至关重要.传统的阀基电子设备电路板(VBE板)元件失效检测方法依赖于耗时的人工检查或基于规则的自动化系统,这些方法通常检测效率低下且准确性有限.针对该问题,提出一种基于改进的SqueezeNet深度学习模型的VBE板元件失效区域识别方法.通过引入深度可分离卷积和残差连接,所提改进SqueezeNet模型旨在提高元件失效检测的准确性,同时降低计算资源的需求.在VBE板元件失效数据集上的实验结果表明,所提方法在元件失效检测准确率和运算效率方面均优于传统方法和标准SqueezeNet模型,准确率达到了95.27％,比原模型高出4.45％.不仅提升了VBE板元件失效检测的效率和准确性,而且为电力系统中类似设备的元件失效诊断提供了新的技术参考.

    阀基电子设备SqueezeNet模型元件失效检测特征提取

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    基于栅极参考电压的SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法

    于圣旭王智强辛国庆时晓洁...
    248-257页
    查看更多>>摘要：栅极氧化物退化是限制SiC MOSFET进一步广泛应用的关键可靠性问题.在线监测能够实时获取栅极氧化物健康状态,是提升SiC MOSFET可靠性的重要手段,因此提出一种基于栅极参考电压的SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法,并详细介绍了利用栅极参考电压监测栅极氧化物健康状态的基本原理;提出一种栅极参考电压在线提取电路,经脉冲测试验证可以实现在线提取,经老化试验验证可以有效监测栅极氧化物健康状态.所提电路可以集成在栅极驱动中,不会显著增加系统复杂程度.

    栅极氧化物健康状态SiCMOSFET在线监测

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    漏源电压对SiC MOSFET阈值电压准确测量影响的研究

    姚博均郭春生崔绍雄李嘉芃...
    258-263页
    查看更多>>摘要：相较于Si器件,SiC MOSFET近界面氧化物陷阱区域更广,界面态陷阱密度高出2个数量级,大量陷阱不断俘获或释放电荷,导致阈值电压(Vth)随时间波动较大,因而Vth的准确重复测量成为难题.标准中阈值电压测量采用预处理的方法,保证每次测量时陷阱电荷状态的一致性,但标准中未考虑漏源电压影响预处理填充后的陷阱状态,导致阈值电压测试误差.针对该问题,首先通过测量不同漏源电压脉冲影响下的转移曲线,显示不同源漏电压对阈值电压的影响;然后,基于瞬态电流法分析了漏源电压对陷阱电荷状态的影响;进而,分析了漏源电压影响陷阱的机理;最后对比了不同漏源电压对阈值电压测量的影响.实验表明,漏源电压影响栅漏间电场正负,进而影响陷阱填充或释放电荷,导致阈值电压漂移.测量阈值电压时使用较小漏源电压可提高测量准确性,减小可靠性实验由测试因素造成的误差.

    阈值电压重复性碳化硅MOSFET栅极结构

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