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期刊信息/Journal information
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所
电子与封装

中国电子科技集团公司第五十八研究所

王虹麟

月刊

1681-1070

ep.cetc58@163.com

0510-85860386

214035

江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

电子与封装/Journal Electronics and Packaging
查看更多>>本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
正式出版
收录年代

    -种带曲率补偿的低温漂带隙基准源设计

    吴舒桐孔玉礼王祖锦
    61-65页
    查看更多>>摘要：为满足高速、高精度射频电路的要求,设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源.为避免运放的失调电压对基准源精度产生影响,电路没有采用运放结构生成基准电压.利用双极型晶体管基极-发射极电压VBE的负温度特性,在高温时对基准电压进行曲率补偿,减小基准电压的温漂.电路基于180nmBiCMOS工艺线,采用Cadence仿真验证.在-40～85℃温度范围内,5 V电源电压下,温度系数为5.7×10-6/℃,电源电压抑制比可达到-88dB.

    曲率补偿低温漂带隙基准双极型晶体管

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    增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展

    穆昌根党睿袁鹏陈大正...
    66-75页
    查看更多>>摘要：考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求,增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著.目前有许多方法可以实现增强型GaN HEMT器件,如使用p型栅技术、凹栅结构、共源共栅(Cascode)结构、氟离子处理法、薄势垒AlGaN层以及它们的改进结构等.分别对使用以上方法制备的增强型GaN HEMT器件进行了综述,并对增强型GaN HEMT器件的最新研究进展进行了总结,探索未来增强型GaN HEMT器件的发展方向.

    GaNHEMT器件凹栅结构p-GaN薄势垒

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    SOI基光波导传输损耗的研究

    李逸康张有润葛超洋汪煜...
    76-80页
    查看更多>>摘要：SOI基光波导中直波导的传输损耗包括模式失配损耗、内部散射损耗和表面散射损耗.为了研究直波导的传输损耗中3种损耗所占的比例,制作了相同宽度的条形和脊形波导,仿真分析和测试了 2种波导的传输损耗.对于1550 nm的光,测试得到条形波导和脊形波导的传输损耗分别为-2.4dB·cm-1和-2.0dB·cm-1,同样截面且忽略杂质缺陷和表面粗糙程度的理想波导的损耗均接近于0.通过对这些数据的分析,计算出条形波导表面散射损耗为-1.42dB·cm-1,占总体损耗的59.2％,内部散射损耗为-0.98dB·cm-1,占总体的40.8％.

    波导传输损耗内部散射损耗表面散射损耗

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    基于加速寿命试验的磁耦隔离器耐压寿命评价方法

    曹玉翠李泽田胡林江张峰...
    81-85页
    查看更多>>摘要：为解决磁耦隔离器耐压寿命评估的实际需求,开展了适用于磁耦隔离器的加速寿命试验与寿命评价.研究了影响磁耦隔离器耐压寿命的关键因素,分析了加速寿命试验的可行性与加速模型的选取.合理设计加速寿命试验方案中的应力类型、应力水平、截尾时间等,并按照设计的试验电路方案进行试验.利用采集到的试验数据,结合加速模型推导出电压-寿命之间的关系,实现磁耦隔离器耐压寿命的评估和可靠性评价.

    磁耦隔离器加速寿命试验耐压寿命可靠性

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    一种适用于5G终端的宽带双极化毫米波端射天线阵列

    李昊李越
    86页
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