首页期刊导航|电子与封装
期刊信息/Journal information
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所
电子与封装

中国电子科技集团公司第五十八研究所

王虹麟

月刊

1681-1070

ep.cetc58@163.com

0510-85860386

214035

江苏无锡市惠河路5号(208信箱)

电子与封装/Journal Electronics and Packaging
查看更多>>本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
正式出版
收录年代

    用于Si-PIN探测器的小尺寸电荷灵敏前置放大器的设计

    张玲玲何资星郭凤丽
    67-72页
    查看更多>>摘要:设计了一种用于Si-PIN探测器的小尺寸电荷灵敏前置放大器,该放大器采用低噪声、高带宽、双通道运放芯片AD8066,简化了电路结构,减小了空间体积,实现了电荷灵敏前放与成形电路的一体化设计.经过测试发现,在室温环境下,该放大器能有效对241Am源和137Cs源γ射线进行探测,其测量电子学等效输入噪声约为0.15 fC,成形时间约为2.5 s,在0.5~100 fC的动态输入电荷范围内,放大增益达24V/pC,且稳定性良好.此外,该放大器的时间响应速度达10ns,可应用于高计数率辐射环境下的γ射线探测.

    Si-PIN探测器电荷灵敏前置放大器γ射线

    基于JESD204B协议的接收端电路设计

    孔玉礼陈婷婷万书芹邵杰...
    73-79页
    查看更多>>摘要:设计了一款可应用于4通道、16 bit、2.5GSa/s数模转换器的接口电路.单个通道采用4路并行传输的方法以降低电路的设计难度,并通过链路建立、数据处理、错误统计和模块解帧实现协议的数据链路层和传输层.搭建通用验证方法学平台与设计的接收端电路进行数据交互,提高验证效率.基于某65 nm工艺库对电路进行逻辑综合与版图设计,流片后的样片测试结果表明,接收端电路满足JESD204B协议的要求,单通道数据传输速率最高可达12.5 Gbit/s.

    JESD204B协议高速串行接口接收端电路数模转换器

    微波PIN二极管复合介质膜钝化技术的研究

    杨青李宁
    80-84页
    查看更多>>摘要:表面钝化是半导体器件制造过程中的重要工艺环节之一,对器件的电学特性和可靠性有重要影响.微波PIN二极管器件的可靠性与钝化技术密不可分,结合高温干氧和等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了微波PIN二极管的复合介质表面钝化膜.通过对膜厚、折射率、表面方块电阻、正向电阻和二极管结电容等参数的测试和分析,对工艺条件进行了优化,获得了致密性好和绝缘强度高的表面钝化膜,提升了微波PIN二极管器件的可靠性和环境适应性.

    PIN二极管钝化技术电学特性可靠性复合介质膜

    高温SOI技术的发展现状和前景

    罗宁胜曹建武
    85-93页
    查看更多>>摘要:高温绝缘层上硅(SOI)技术突破了体硅半导体器件的高温困境,已被广泛应用于石油天然气钻探、航空航天和国防装备等尖端领域.近年来,第三代宽禁带半导体功率器件已日趋成熟和普及,其中SiC器件以其先天的耐高压、耐高温等特性,与高温SOI器件是非常理想的搭配,适用于原本体硅半导体功率器件难以实现或根本不能想象的应用场景,为系统应用设计者提供了全新的拓展空间.在简述体硅半导体器件高温困境的基础上,综述了高温SOI技术的发展现况,并探讨了其未来的发展方向和应用前景.

    体硅绝缘层上硅SiC高温SOI技术

    纳米压痕下烧结纳米银本构行为的应变率转化

    李娇申子怡龙旭
    94-95页