首页期刊导航|电子与封装
期刊信息/Journal information
电子与封装
中国电子科技集团公司第五十八研究所
电子与封装

中国电子科技集团公司第五十八研究所

王虹麟

月刊

1681-1070

ep.cetc58@163.com

0510-85860386

214035

江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

电子与封装/Journal Electronics and Packaging
查看更多>>本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
正式出版
收录年代

    可变高应力氮化硅薄膜的内应力研究

    孙建洁张可可陈全胜
    53-56页
    查看更多>>摘要：以互补金属氧化物半导体(CMOS)器件等比例缩小为动力的硅集成电路技术已迈入纳米级尺寸,并将继续保持对摩尔定律的追求,进一步缩小器件尺寸,以满足芯片高度集成化的要求.目前基于CMOS工艺的应变硅技术受到越来越广泛的应用.氮化硅致应变技术是属于应变硅技术中的一种,该技术工艺流程相对简单,成本较低,仅通过在器件上淀积不同应力的氮化硅薄膜就可达到提高载流子迁移率的效果,因此应用越来越普遍.利用等离子体增强化学气象沉积(PECVD)的氮化硅膜,通过适当的工艺条件,可以做到压应力和张应力两种应力的变换,最终可实现在硅片上淀积出应力大于2 GPa的高应力氮化硅膜.

    应变硅氮化硅压应力张应力

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    纳米器件单粒子瞬态仿真研究

    殷亚楠王玧真邱一武周昕杰...
    57-63页
    查看更多>>摘要：利用计算机辅助设计软件,研究了不同条件下28nm体硅器件的单粒子瞬态(SET)效应,分析了不同器件间距、线性能量转移值和粒子入射角度对器件SET效应的影响.随着器件漏极间距的减小,SET脉冲幅度和脉冲宽度随之减小.与垂直入射的情况相比,倾角入射下SET脉冲幅度和宽度的减小程度更加明显,电荷共享效应更加显著.仿真结果表明,合理调节反相器相异节点的器件间距,利用器件间的电荷共享可以有效减弱重离子产生的SET脉冲,减少单粒子效应的反应截面.

    单粒子瞬态辐射效应仿真电荷共享

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响

    陶伟刘国柱宋思德魏轶聃...
    64-68页
    查看更多>>摘要：基于0.18 μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了 60Co(315 keV)与X射线(40keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响.研究结果表明,在相同偏置条件下,60Co与X射线两种辐照源对MOS器件的辐射电离效应具有一定的差异性,前者同时具有康普顿效应和光电效应,后者是光电效应,主要是光子与内层电子作用.由LVNMOS总剂量辐照特性推测,X射线辐照源引起LVNMOS的SiO2层中产生的电子与空穴高于60Co.

    总剂量辐射电离阈值电压60CoX射线

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    基于LoRa无线通信的变电站火灾报警系统设计

    赵志浩卢超波陶洪平沈伟...
    69-72页
    查看更多>>摘要：针对目前变电站内火灾监测的不足,提出了一种基于LoRa无线通信的变电站火灾报警系统.系统通过监测探火导管气压变化判断火灾是否发生,采用LoRa无线通信代替传统的有线通讯,可减少施工工序,缩短施工周期,有利于后期的系统维护.试验证明系统可以准确快速监测到火灾的发生,并通过LoRa将报警信息传输给消防主机,可以代替有线系统,在变电站设备区域快速部署.

    火灾监测气压传感LoRa通讯CKS32

      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    一种基于基板埋入技术的SiC功率模块封装及可靠性优化设计

    樊嘉杰侯峰泽
    73-74页
      原文链接:
    • 维普
    • 万方数据

    《电子与封装》杂志征稿启事

    封3页
      原文链接:
    • 万方数据