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期刊信息/Journal information
电子元件与材料
中国电子学会　中国电子元件行业协会　国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
电子元件与材料

中国电子学会　中国电子元件行业协会　国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)

钟彩霞

月刊

1001-2028

journalecm@163.com/zhubei5148@163.com

028-84391569

610051

成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

电子元件与材料/Journal Electronic Components & MaterialsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
正式出版
收录年代

    一种低静态电流快速瞬态响应的线性稳压器

    蔡航宇闫江
    1250-1256,1263页
    查看更多>>摘要：设计了一种低压差线性稳压器(LDO),其仅消耗1.34 μA静态电流,具有快速瞬态响应特性和100 mA负载电流输出能力.该LDO电路采用零极点追踪补偿技术与伪等效串联电阻(pseudo-ESR)补偿技术相结合的方式,实现了全负载范围内的环路稳定性,取代了传统LDO依赖片外电容自身ESR产生零点的补偿方式,减少了补偿零点受温度与工艺的影响,同时降低了片外电容选择的难度.此外,环路中增加了 class-AB电压缓冲器结构,在低静态电流的条件下提升了瞬态响应特性.本设计基于SMIC 65 nm工艺设计与仿真验证,实现了在3 µF陶瓷输出电容下,当负载电流在0.1 μs内从10 mA到100 mA跳变时,输出下冲电压为42 mV,输出上冲电压为12 mV,全负载范围内相位裕度在60°以上.

    低静态电流零极点追踪补偿伪等效串联电阻补偿class-AB电压缓冲器低压差线性稳压器

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    温度循环条件下塑封器件铜线键合寿命预测方法研究

    高成李明政任焕锋李昌林...
    1257-1263页
    查看更多>>摘要：为研究周期性的温度变化对塑封器件铜键合处寿命的影响,选取塑封器件LM2902DGR4型运算放大器作为研究对象,研究其温度循环下的失效模式.基于Solidworks建模和ANSYS有限元仿真的方法,进行温度循环仿真,对仿真结果进行温度云图分析,最大主应力云图分析、等效应力云图分析和总变形云图分析.综合分析确定在温度循环条件下铜线键合处的失效模式为铜引线颈部的断裂,等效应力的变化范围为52.551～87.302 MPa.基于Engelmaier模型,计算出其铜线键合部位在-40～125 ℃温度循环条件下的失效前循环次数为119901次.提出一种基于有限元仿真的铜线键合寿命研究方法,为该型号器件在实际工程应用时铜线键合处的寿命评估提供依据.

    塑封器件铜线键合温度循环有限元仿真寿命预测

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    一种绝对值忆阻Hopfield神经网络的动力学分析与其实现

    李旭鑫邱达陈世强罗敏...
    1264-1273页
    查看更多>>摘要：Hopfield神经网络(HNN)是一种类脑神经网络,可以表现出丰富的动态行为,尤其是混沌.为了探究这些丰富的动力学现象,研究了一种具有忆阻突触权重的Hopfield神经网络模型,该HNN模型具有三个平衡点.通过动力学地图、分岔图、Lyapunov指数谱、相轨图和时序图分析了系统的动力学行为,研究了忆阻突触耦合强度和初始条件对系统动力学行为的影响.实验结果表明,构建的Hopfield神经网络不仅会随着忆阻强度的变化出现倍周期分岔、混沌、周期窗口和对称共存吸引子,还能随着状态初值的变化产生多种类型的非对称共存吸引子(例如周期和混沌共存吸引子以及单涡卷和双涡卷共存吸引子),同时还发现了暂态混沌现象.最后,通过FPGA技术实现了系统的数字电路,验证了所提出系统的正确性和可实现性.

    Hopfield神经网络忆阻突触共存吸引子瞬态混沌FPGA实现

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    高温高应变下Cu/Ta界面扩散行为的分子动力学模拟

    张磊洋肖雯天柳和生李刚龙...
    1274-1283页
    查看更多>>摘要：采用铜互连的三维集成技术是提高微电子器件性能的一种很有前景的方法.然而,由于铜易扩散到硅电子器件中,导致其性能降低甚至失效,而钽(Ta)凭借稳定的化学性能常被作为阻挡层应用在工程中.为探究Cu/Ta体系的扩散行为,采用分子动力学方法,分别研究了温度和应变耦合作用下对Cu/Ta体系扩散的影响,通过对单晶结构和多晶结构的分析,厘清了两者扩散机理.在温度作用下,经过10 ns的保温,仅出现了 Ta原子向Cu原子内部扩散的现象,并且Ta原子向多晶Cu扩散的深度更深,达到1.5 nm.在应变作用下,体系中产生大量的晶体缺陷,多晶Cu内部出现的位错缠结、孪晶和晶界破裂加剧了扩散.随着应变的不断增加,Ta中位错密度增加,使Cu原子向Ta晶格内部扩散,扩散层厚度达到3.3nm.分子动力学模拟结果表明,Ta在温度作用下是一种非常有效的阻挡层,但在应变作用下其阻挡性能会逐渐消失,不再具备阻挡能力.

    分子动力学界面扩散阻挡层拉伸Cu互连Cu/Ta

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    第一性原理研究Ba3(PS4)2,YPS4,Pb3(PS4)2和BiPS4的电子结构与双折射性质

    丁家福王云杰齐亚杰和志豪...
    1284-1292页
    查看更多>>摘要：基于密度泛函理论对P-S配位四面体与四种不同阳离子构成的金属硫代磷酸盐Ba3(PS4)2、YPS4、Pb3(PS4)2和BiPS4的电子结构和光学性质的理论机制进行分析.Ba3(PS4)2和Pb3(PS4)2为间接带隙,带隙分别为2.074和2.271 eV,YPS4和 BiPS4为直接带隙,带隙分别为2.105和1.534 eV.四种化合物在价带顶都产生P原子与S原子轨道的p-p杂化.并且得到Ba3(PS4)2、YPS4、Pb3(PS4)2和BiPS4的静介电常数分别为5.41,5.44,7.26和 8.22.Ba3(PS4)2、YPS4和 BiPS4 在 1064 nm 处的双折射率分别为 0.068,0.162 和 0.125,而 Pb3(PS4)2 属于立方晶系,双折射率为0;P-S键呈共价性,Y-S键、Pb-S键和Bi-S键皆具有较强的离子性.各向异性大小YPS4＞BiPS4＞Ba3(PS4)2,Pb3(PS4)2表现为各向同性.

    第一性原理密度泛函理论硫代磷酸盐电子结构双折射

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