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电子元件与材料
中国电子学会　中国电子元件行业协会　国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
电子元件与材料

中国电子学会　中国电子元件行业协会　国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)

钟彩霞

月刊

1001-2028

journalecm@163.com/zhubei5148@163.com

028-84391569

610051

成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

电子元件与材料/Journal Electronic Components & MaterialsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
正式出版
收录年代

    流致振动剪切模式压电能量收集技术研究

    李亚洁张志英荣凯超安然然...
    1370-1377页
    查看更多>>摘要：为了解决水下传感器的持续供能问题,设计了一种基于流致振动的嵌套圆管压电俘能结构.通过流-固-电耦合模型的建立及数值模拟,研究了压电材料工作模式、形状、支撑体结构、流速以及阻流体与俘能结构中心间距对振动和压电性能的影响.结果表明,该结构在横流和顺流方向均可产生振动,其中剪切模式(d15)下,压电材料的开路电压最高.两个俘能结构在顺流方向串列时压电性能最佳.当流速为1.1 m/s,中心距为俘能结构圆管直径的3倍时,上下游俘能结构最大电压分别为48.22和52.47 V,分别是单俘能结构输出电压的4.05和4.41倍.水循环实验验证了该压电俘能结构将振动能转化为电能的有效性.

    流致振动压电能量收集剪切模式数值模拟

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    一种具有高阶温度补偿的高PSRR带隙基准

    李征洋孙江李琴鹏黄强...
    1378-1382页
    查看更多>>摘要：为了降低带隙基准的温度系数,提高电源抑制比(PSRR),设计了一种具有高阶温度补偿的高PSRR带隙基准.提出了一种基于双极性晶体管(BJT)温度系数工作的曲率补偿电路,产生高阶温度系数为正的补偿电流,对传统带隙基准中BJT的高阶温度系数进行补偿,使带隙基准实现更低的温漂特性.同时使用了内建电压源的结构,利用负反馈提高带隙基准的PSRR.基于SMIC 0.18 μm BCD工艺,完成了电路的设计.仿真结果表明,所设计的带隙基准在-40～125 ℃的温度范围内,温度系数仅为0.43×10-6/℃;同时,低频时的PSRR为-95.1 dB.

    带隙基准温度补偿温度系数PSRR

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    一种应用于温度传感器的高PSRR低温漂带隙基准源设计

    王进军冯岩李梓腾张世奇...
    1383-1389页
    查看更多>>摘要：针对传统带隙基准不能满足温度传感器高性能需求问题,在电压模带隙基准的基础上,采用SMIC018工艺设计一种可用于温度传感器中的低温漂高电源抑制比带隙基准电压源.利用BJT管电流放大倍数β与温度呈近似线性关系的特性,通过在双极型晶体管的基极到地之间增加一个电阻,实现温度的二阶曲率补偿,降低温漂系数.与现有的二阶温度补偿技术相比具有结构简单、功耗低、补偿效果更理想的优点.同时采用PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)增强电路和RC滤波电路,以提高带隙基准电压源的电源抑制比.仿真结果表明,补偿前的温漂系数为9.786 ×10-6/℃,补偿后的温漂系数为3.03×10-6/℃.低频时电源电压抑制比为-104 dB,全频段范围内(1 Hz～1 GHz)PSRR可实现100 dB以上,功耗仅为0.039 mW.该基准源可应用于对温漂和PSRR要求较高的温度传感器芯片中.

    温度传感器带隙基准电压源二阶曲率补偿电源抑制比低温漂

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    SiC MOSFET低功耗多谐振驱动电路设计

    金爱娟朱婷李少龙
    1390-1398,1405页
    查看更多>>摘要：为了解决SiC MOSFET在高频电力电子应用中的高功率损耗问题,并优化其开关性能,提出一种多谐振栅极驱动电路.该驱动电路利用能量回馈的思想,设计一个多谐振滤波网络进行高阶谐波滤波和回收输入电容中的能量,通过控制三极管的通断将栅源电压钳位在+15 V和-5 V的期望电压,旨在减少驱动电路从电源中获取能量,避免误触发问题,以及提高SiC MOSFET开关过程的效率.LTspice仿真结果显示,与传统栅极驱动电路和其他普通谐振栅极驱动电路相比,所提多谐振栅极驱动电路的功率损耗分别降低了50％和30％,同时加快了SiC MOSFET的开关速度.所提驱动电路具有一定的实用价值,有利于电力电子行业的发展.

    碳化硅(SiC)MOSFET高频多谐振驱动钳位

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    基于模式抵消的紧凑高隔离微带天线

    王帅李鑫刘仁创
    1399-1405页
    查看更多>>摘要：为了降低紧凑微带天线之间的电磁耦合,提出一种简单的低剖面解耦结构,结构由两天线之间的微带-短路探针结构与缺陷接地结构组成.然后,基于同向异向的模式抵消方法,阐述了解耦结构的工作原理.进而,分析了E平面紧邻天线之间电场的耦合模式以及解耦结构对其电场分布的影响.在天线相邻边缘间距为0.054λ(λ是中心频率在自由空间中的波长)的条件下,验证所提方案的有效性.测试结果表明,设计天线在3.03～3.28 GHz的匹配带宽内天线的隔离度提高了10 dB以上,中心频率处的隔离度为47.28 dB,并且包络相关系数低于0.025.该解耦结构简单有效,占用空间小,具有低剖面,抑制耦合能力强,不仅可以增加天线工作带宽,同时具有稳定的辐射性能.

    紧凑微带天线模式抵消高隔离度低剖面

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    非熔性脉冲激光退火绝缘栅双极晶体管仿真研究

    刘阳袁和平陈译何堤...
    1406-1411,1417页
    查看更多>>摘要：在半导体加工领域,快速热退火(Rapid Thermal Annealing,RTA)工艺是提升绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)电学性能的有效方式之一,但会导致杂质再扩散现象严重、晶格修复不完整、机械性能下降等缺陷.为解决以上问题,通过非熔性脉冲激光退火工艺,研究了激光波长分别为193,248,308,532 nm对IGBT温度场、杂质浓度、结深和电学性能的影响.与RTA工艺相比,非熔性脉冲激光退火后的IGBT杂质分布均匀,结深和电学性能得到明显优化;其中193 nm的短波长脉冲激光退火后的IGBT性能提升最为明显,饱和集电极电流提升了10.99％,导通压降和结深分别降低了4.05％和12.26％.结果表明,在以上几种波长中,193 nm的短波长脉冲激光是制备超浅结IGBT的最佳选择,该研究可为激光退火IGBT提供技术支持.

    非熔性脉冲激光绝缘栅双极晶体管温度场结深电学性能

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    形成液温度对高比容钽粉研制的钽电容器电性能的影响

    邓俊涛王凤华胡鹏郑传江...
    1412-1417页
    查看更多>>摘要：片式固体电解质钽电容器的小型化、大容量发展趋势促进了高比容钽粉应用于低压大容量钽电容器.Ta2O5介质氧化膜是钽电容器的"心脏",其生长质量决定了电容器的稳定性和可靠性.形成液温度是阳极氧化过程中的关键工艺参数之一,对Ta2O5介质氧化膜的质量有重要影响.以高比容钽粉制备的CAK45A-B-10 V/100 μF片式固体电解质钽电容器为研究对象,通过漏电流测试、Ⅰ-Ⅴ特性、高温稳定性及85℃-2000 h寿命试验,研究了在磷酸体系溶液中,形成液温度对高比容钽粉研制的钽电容器电性能的影响.研究结果表明:形成液温度从65 ℃提升至85 ℃,形成后漏电流均值降低约39％;高温容量稳定性及漏电流稳定性增强;钽电容器寿命试验后的漏电流变化率由-17％降低至-60％.

    形成液温度高比容钽粉钽电容器电性能

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