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电子元件与材料
中国电子学会　中国电子元件行业协会　国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
电子元件与材料

中国电子学会　中国电子元件行业协会　国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)

钟彩霞

月刊

1001-2028

journalecm@163.com/zhubei5148@163.com

028-84391569

610051

成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

电子元件与材料/Journal Electronic Components & MaterialsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
正式出版
收录年代

    忆阻器发展现状与标准化展望

    徐晨唐双柱张建锋潘洋...
    631-643页
    查看更多>>摘要：忆阻器是一种能够实现非易失性存储的新型半导体器件,具有高密度、低功耗、高速度和高可靠性等优点,可用于高密度信息存储、智能计算和类脑人工智能等重大战略领域.近年来,忆阻器的学术研究和产业发展取得了瞩目的成绩,但其标准化工作尚处于起步阶段,缺少统一的标准来定义与评估核心参数指标,给设计、制造、测试和应用带来了困难和不确定性.为了推进忆阻器领域标准化工作的发展,从忆阻器的基本概念与阻变机制出发,梳理了忆阻器材料体系与应用领域的研究进展,重点分析了忆阻器性能测试与评估的现状和挑战,最后对忆阻器领域的标准化现状和趋势进行了总结和展望.

    忆阻器材料应用综述标准化性能评估

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    可拉伸银纳米线透明导电膜的制备及性能研究

    丁天磊林晓彤段安王可...
    644-650页
    查看更多>>摘要：以银纳米线(AgNWs)为导电相,聚二甲基硅氧烷(PDMS)膜为基材,采用旋涂-转移法制备可拉伸银纳米线透明导电膜,即先将AgNWs均匀旋涂在聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene Terephthalate,PET)薄膜表面,然后转移到半干的PDMS膜表面,再经热处理获得可拉伸银纳米线透明导电膜(AgNWs/PDMS).研究了银纳米线的浓度、用量和尺寸以及旋涂层数对AgNWs/PDMS导电性、透光性、可拉伸性以及稳定性的影响;随着银纳米线浓度和用量的增加,AgNWs/PDMS膜的导电性和透光性下降.随着银纳米线直径下降,薄膜的透光性增加,但导电性下降.采用 0.2 mL的 2 mg/mL银纳米线(直径 60 nm,长度 25～30 μm)旋涂4 层所制备的薄膜在550 nm处的透光率为 72.5%,方阻为 32.94 Ω/□.同时,AgNWs/PDMS膜具有良好的柔韧性、弯折稳定性、可拉伸性和电稳定性.

    银纳米线可拉伸透明导电膜PDMS旋涂-转移法

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    PAN静电纺丝膜基摩擦纳米发电机的性能研究

    吴萃霞郝景标张曙林金欣...
    651-659页
    查看更多>>摘要：环境能源的利用可以有效缓解资源匮乏和电池污染带来的负面影响,其中风能是最具有潜力的能源之一.为了有效的利用生活中的风力,设计了一种颤振式的摩擦纳米发电机,其工作模式为接触独立层模式.该发电机以静电纺丝膜聚丙烯腈和聚偏氟乙烯作为摩擦材料,研究了风速、器件间隙、颤振膜尺寸对频率和电输出信号的影响.结果表明:PAN静电纺丝膜用作摩擦正极层,具有极好的机械性能、耐高温稳定性.选用PVDF静电纺丝膜作为负摩擦电级,PVDF静电纺丝膜具有较高的耐磨性和极化程度.F-TENG的最大输出功率可以达到 164.6 μW,短路电流为 9.69 μA,开路电压约为 112.3 V.风力驱动的F-TENG可以点亮最少 150 个商业用LED.通过和整流装置的连接可以为小功率用电器(计算器)进行供电.拓展了静电纺丝膜在摩擦纳米发电机上的应用.

    静电纺丝风能摩擦纳米发电机聚丙烯腈聚偏氟乙烯

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    羰基铁基复合材料的高效吸波-防腐双功能特性研究

    秦环宇张敏郭卿超田威...
    660-667页
    查看更多>>摘要：随着 5G先进通信技术和雷达探测技术的快速发展,电磁污染问题和特种装备的隐身突防问题日益突出.铁磁性吸波材料凭借高饱和磁化强度和优异的电磁波衰减能力已发展为应用较为广泛的隐身材料,然而,由于应用环境的多元化,铁磁性吸波材料的腐蚀问题严重制约其实际应用.本文采用多步液相反应,成功制备出具备优异吸波-防腐双功能的多级结构羰基铁基复合材料.该材料最低反射损耗高达-48.3 dB,有效吸收带宽达 7.0 GHz.同时,其抗腐蚀性能也得到大幅改善,自腐蚀电压Ecorr显著右移至-0.22 V,自腐蚀电流密度Icorr下降至 1.21×10-7 A/cm2.为新型高性能铁磁性吸波材料的设计和工程应用提供了有力支撑,对于解决电磁污染和装备隐身问题具有重要意义.

    羰基铁复合材料微波吸收防腐阻抗匹配

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    羰基铁粉/石墨烯复合粉体的制备及其电磁性能研究

    梁莹李天天李菊红孙兴阳...
    668-677页
    查看更多>>摘要：石墨烯与羰基铁粉的复合不仅突破了铁粉作为吸收剂的斯诺克极限,还在一定程度上提高了其电磁阻抗匹配特性.本文利用氨基磷酸作为连接剂将石墨烯和片状羰基铁粉进行层状复合,通过一步法制备得到具有介电频散特性的羰基铁粉/石墨烯复合吸波粉体,研究了不同合成条件下(改性石墨烯含量、反应温度、氨基磷酸含量)羰基铁粉/石墨烯复合吸波材料的电磁参数和反射损耗的影响.结果表明,由于石墨烯的引入,复合粉体的电磁阻抗匹配性能明显增强,表现出较好的吸波性能,当氧化石墨烯(GO)含量为质量分数 1%时,复合粉体(厚度为 3.7 mm)在4.23 GHz的最小反射损耗值(RLmin)为-43.90 dB,有效吸收带宽(RL≤-10 dB)为10.4 GHz(3.63～14.03 GHz);当反应温度为 80℃时,复合粉体表现出良好的吸波效率,当厚度为 4.5 mm,复合粉体在 2.3 GHz处的最小反射损耗达到了-42.92 dB,有效吸收带宽(RL≤-10 dB)为 6.7 GHz(2.0～8.7 GHz).APSA的加入使复合粉体的电导率有了明显的提升,同时介电损耗获得了增强.其中APSA添加量为质量分数 0.5%时,复合粉体的导电能力最强,介电损耗性能稳定,吸波改性效果较好,此时反射损耗为-42.92 dB,并且其在 2～18 GHz内相应的有效吸收带宽(RL≤-10 dB)为 6.7 GHz(2.1～8.8 GHz).

    石墨烯羰基铁纳米复合材料吸波性能

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    基于有限元分析的高性能耐高温导电胶的制备及性能研究

    薛晓倩石宇皓林铁松王策...
    678-684页
    查看更多>>摘要：针对目前导电胶基体在耐温性方面的瓶颈,选取耐高温、吸湿率低、热稳定性良好的氰酸酯作为基体,以银作为导电填料,通过COMSOL有限元仿真软件中APP开发器功能导入随机分布的导电颗粒代码,建立模型仿真,探究此新型导电胶中导电颗粒形状和大小对导电性的影响.研究结果表明,相比于银球导电胶,银片导电胶模拟的导电性能更好,当银的质量分数达到 90%时,银片导电胶的电阻率比银颗粒导电胶低 3 个数量级.结合仿真结果,加入片状银粉,双马来酰亚胺作为增韧剂,二月桂酸二丁基锡作为固化剂,制备出银片导电胶,其电阻率随着银片含量增加而下降,在银片质量分数为 50%～60%时迅速下降至 43.9 mΩ·cm,之后变化平缓,胶粘的剪切强度在 15 MPa以上,可以承受 300℃的高温.

    导电胶耐高温COMSOL氰酸酯银

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    Ga元素对低银系Sn-0.3Ag-0.7Cu焊料合金性能的影响

    徐深深徐冬霞郑越任鹏凯...
    685-693页
    查看更多>>摘要：为改善SAC0307 焊料合金的综合性能,在钎料中引入 Ga 元素.通过 DSC、润湿铺展实验、拉伸试验、SEM、EDS以及XRD 等手段探究不同质量分数 Ga 元素对 Sn-0.3Ag-0.7Cu-xGa(x=0,0.2%,0.4%,0.6%,0.8%,1.0%)系焊料合金综合性能的影响.结果表明:Ga元素对低银系Sn-0.3Ag-0.7Cu-xGa焊料合金熔化温度以及熔程影响较小;Ga元素能够提高焊料合金的润湿性能,当Ga元素添加质量分数为 0.6%时,焊料合金铺展率最大为 67.55%,抗拉强度最大为 40.18 MPa,这是由于焊料金属间化合物组织由长条状转化为不规则块状,细化程度最高;当Ga元素质量分数为 0.8%时,增重比为 0.21%,焊料合金的抗氧化性能最好,但只比质量分数为 0.6%时少 0.02%.因此根据焊料合金的综合性能确定Sn-0.3Ag-0.7Cu-xGa(x=0.6%)配方为最佳.

    焊料合金熔化特性润湿性微观组织力学性能抗氧化性

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    基于VCCT理论的芯片多顶针剥离工艺参数优化

    刘俐杜松张春华刘胜...
    694-700,707页
    查看更多>>摘要：针对芯片在拾取过程中易碎裂的问题,采用虚拟裂纹闭合法对多顶针工艺拾取芯片的过程进行动力学建模和仿真.首先建立了芯片-胶层-蓝膜复合模型结构;然后进行了硅片-蓝膜单轴拉伸实验,确定了模型的关键参数;最后通过模拟不同工艺参数,包括顶针间距和胶层材料的变化,对剥离过程中芯片上的最大应力变化进行了深入的分析.仿真结果显示,在芯片剥离过程中,芯片中心区域出现了明显的应力集中.减小顶针间距可以有效缓解芯片中心区域的应力集中现象.此外,选择具有较低临界断裂能的胶层材料可以减小剥离过程中芯片所受的应力.最终结果为多顶针拾取芯片工艺的参数选择提供了参考价值,有助于提高芯片拾取的可靠性.

    多顶针工艺虚拟裂纹闭合法等效应力临界断裂能

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    一种自适应恒定平均电压输出电路设计

    李琴鹏孙江左世柱李征洋...
    701-707页
    查看更多>>摘要：在电子点火器应用中,为解决传统方案中LDO效率低、DC-DC需要外挂电容、电感的问题,提出了一种自适应恒定平均电压输出电路.电路输出为PWM波,当电源电压变化时,通过自动调整PWM波的占空比实现了恒定的平均电压输出.通过改变外接采样电阻的比值可以调整输出的平均电压大小.电路为开环控制,不需要考虑闭环稳定性问题,其控制简单可行,具有与DC-DC相比拟的高效率,但无外围电感、电容,便于集成和小型化应用.电路采用 0.18 μm BCD工艺设计,仿真和测试结果表明,在电源电压 3.2～4.2 V下,实现了输出平均电压恒定,误差小于±1%;通过改变采样电阻比值,实现了输出平均电压在 1.5～3.6 V之间连续可调.

    恒定平均电压自适应占空比PWM开环控制无片外电感电容

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    一种适用于LDO的无过冲软启动电路设计

    邓家雄冯全源
    708-712页
    查看更多>>摘要：设计了一种适用于LDO的无过冲软启动电路.其核心是采用线性升压的软启动策略来消除浪涌电流,电路结构简单、易于实现.为了解决超调现象,利用晶体管与正反馈电路设计了一种快速比较器,使得软启动电路输出电压能平滑地过渡到稳定工作状态.为了减小版图面积,利用少量的MOS管设计了斜坡产生电路和输入不平衡比较器电路.该软启动电路集成到一款低压差线性稳压器中,采用SMIC 0.18 μm BCD工艺实现,电源电压为 4.5 V.仿真结果表明,软启动电路有效地消除了浪涌电流,实现输出电压平稳上升无过冲,并能平滑地过渡到稳定工作状态,无超调现象产生.电路结构简单,版图面积为 98 μm×60 μm,便于片上集成,该电路也可以应用到一般的DC-DC稳压器中.

    低压差线性稳压器快速比较器软启动浪涌电流超调现象

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