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期刊信息/Journal information
红外与毫米波学报
中国光学学会 中国科学院上海技术物理所
红外与毫米波学报

中国光学学会 中国科学院上海技术物理所

褚君浩

双月刊

1001-9014

jimw@mail.sitp.ac.cn

021-25051553

200083

上海市玉田路500号

红外与毫米波学报/Journal Journal of Infrared and Millimeter WavesCSCD北大核心CSTPCDEISCI
查看更多>>本刊是国内红外与毫米波科学技术领域唯一的学报类刊物，着重反映该领域的最新研究成果和技术进展，是中国与国际红外与毫米波学界交流最新研究成果的平台。主要报道该领域的新概念、新成果、新进展。读者对象为国内外红外与毫米波领域的科研人员、工程技术人员及高等院校师生、研究生等。
正式出版
收录年代

    基于夹层氮化硅波导的可见-中红外超连续谱特性研究

    孙嘉浩程如敏郭凯尹金德...
    295-301页
    查看更多>>摘要：提出一种较小厚度氮化硅-蓝宝石-氮化硅夹层波导结构.利用其色散波辐射现象和中红外相位匹配条件,结合波导脉冲传输模型,讨论了夹层波导不同物理尺寸对相位匹配点和光谱展宽的影响,通过数值模拟获得了0.5～4 μm的超连续谱展宽,并且在-40 dB水平下具有更远中红外色散波产生.通过该模型,详细解释了非线性波导脉冲传输的潜在机制.理论模型分析表明,通过优化氮化硅及蓝宝石夹层的物理尺寸,改变相位匹配条件,进而可以在较宽的波长范围内控制色散波的位置.

    非线性光学超连续谱中红外色散工程氮化硅

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    Hg0.72Cd0.28Te扫描隧道谱的模型解释

    肖正琼戴昊光刘欣扬陈平平...
    302-306页
    查看更多>>摘要：本工作利用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了分子束外延生长的Hg0.72Cd0.28Te薄膜.扫描隧道谱(STS)测量表明,此碲镉汞材料的电流-电压(Ⅰ/Ⅴ)隧道谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)比其实际材料带隙增大约130％,说明存在明显的针尖诱导能带弯曲(TIBB)效应.STS三维TIBB模型计算发现低成像偏压测量时获取的Ⅰ/Ⅴ隧道谱数据与理论计算结果有令人满意的一致性.然而较大成像偏压时所计算的Ⅰ/Ⅴ谱与实验谱线在较大正偏压区域存在一定偏离.这是目前的TIBB模型未考虑带带隧穿、缺陷辅助隧穿等碲镉汞本身的输运机制对隧道电流的影响造成的.

    扫描隧道显微镜扫描隧道谱HgCdTe针尖诱导能带弯曲

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    改进碲镉汞液相外延方法原位生长正组分梯度薄膜材料

    霍勤韩红强张诚焦翠灵...
    307-315页
    查看更多>>摘要：研究了液相外延生长条件对碲镉汞薄膜材料组分梯度的影响,建立了指导液相外延生长的理论模型.通过改变水平推舟液相外延工艺的汞损失速率,生长出具有正组分梯度的碲镉汞薄膜材料.针对这种特定条件下生长的碲镉汞外延薄膜,通过腐蚀减薄光谱测试与二次离子质谱测试证实了材料具有正组分梯度结构.与传统方法生长的具有负组分梯度的碲镉汞薄膜相比,这种薄膜材料具有相近的表面形貌与红外透射光谱曲线,且具有较高的晶体质量,其X射线衍射双晶摇摆曲线半峰全宽达到28.8 arcsec.

    碲镉汞液相外延组分梯度二次离子质谱

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    基于InSe/MoTe2异质结构的超灵敏宽光谱光电探测器

    邢艳辉贺雯馨韩梓硕关宝璐...
    316-323页
    查看更多>>摘要：基于光栅效应的二维材料垂直结构可实现高灵敏度和宽光谱光探测器.本文报告了一种基于硒化铟(InSe)/二碲化钼(MoTe2)垂直异质结构的高灵敏度光电探测器,该探测器在 365～965 nm 波长范围内具有出色的宽光谱探测能力.顶层的InSe用作调节沟道电流的光栅层,MoTe2 则用作传输层.通过结合两种材料的优势,该光电探测器的响应时间为 21.6 ms,比探测率在365 nm光照下可以达到1.05×1013 Jones,在965 nm光照下也可达到109 Jones数量级.外量子效率可达 1.03×105%,显示出强大的光电转换能力.

    二维材料宽带光电探测器光栅效应超灵敏

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    非对称针尖结构对远红外超材料谐振性能的影响研究

    陆小森吴旭魏小柯王俊杰...
    324-330页
    查看更多>>摘要：为提高远红外超材料的品质因子Q和检测灵敏度,本文研究了一种用于金属远红外超材料的非对称针尖设计.以传统双开口方形谐振环为模型,通过理论模拟,研究了开口狭缝针尖角度变化对其电场分布、谐振频谱以及品质因子Q的影响.结果表明,非对称针尖增强了谐振环的表面电场局域性,减小了谐振峰的半峰全宽,并使品质因子Q提高到传统谐振环(非针尖设计)的三倍以上.该研究结果为开发高灵敏远红外超材料传感器提供了新的思路,并为传统开口谐振环提出了一种简单实用的Q因子优化方法.

    太赫兹传感器超材料远红外品质因子Q

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    电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT

    封瑞泽曹书睿冯识谕周福贵...
    331-335页
    查看更多>>摘要：本文设计并制作了fT>400 GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT).采用窄栅槽技术优化了寄生电阻.器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50 μm.最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为1 265 mS/mm.即使在相对较小的VDS=0.7 V下,电流增益截止频率fT达到了441 GHz,最大振荡频率fmax达到了299 GHz.该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中.

    铟磷高电子迁移率晶体管(InPHEMTs)InGaAs/InAlAs电流增益截止频率(fT)最大振荡频率(fmax)栅槽

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    太赫兹超导动态电感探测器性能表征用零差混频系统研制

    张嘉文金骏达史生才李婧...
    336-345页
    查看更多>>摘要：零差混频系统(Homodyne mixing system)对太赫兹超导动态电感探测器(Kinetic inductance detectors,KIDs)性能表征具有重要的作用.然而,零差混频系统仍存在混频器不平衡性、测量系统集成、干扰信号等问题.作者设计新型的单通道零差混频硬件系统,结合软件算法实现了测量系统的集成化、IQ混频器不平衡性校准、KID的性能表征;同时实现了在VNA(vector network analyzer)CW模式下的KIDs噪声测量;以及基于自相关算法的双通道零差混频硬件电路设计,有效地抑制了干扰信号.值得注意的是,这些研究成果被应用于表征KIDs 性能,对KIDs阵列设计起到了重要的作用.

    KIDs零差混频系统太赫兹自相关算法

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    多孔中药固体片剂孔隙率的太赫兹有效介质模型研究

    李旭张梦圆赵雯玥左剑...
    346-355页
    查看更多>>摘要：目前对中药片剂的孔隙测量,一般采用的是具有破坏性的密度测量方法,缺乏无损量化方法.太赫兹辐射能用于无损的提取药物若干光学信息.针对直压型中药片剂,通过太赫兹时域和频域信号处理等不同方法分别计算各种片剂的有效折射率,发现两种方法得到的有效折射率和片剂的孔隙率均呈良好的线性关系.根据有效折射率特性,利用四种有效介质模型提取了中药片剂的孔隙率并进行量化回归,通过交叉验证与相对分析误差(RPD)发现通过时域信号处理的有效折射率得到的孔隙率回归模型解释性与验证准确性更高,其中最佳模型是Bruggeman模型(RPD=11.3325).为中药多孔粉体制剂工艺优化提供支持.

    太赫兹光谱有效折射率有效介质理论中药片剂孔隙率

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    基于4.3 THz量子级联激光器的微米级无损厚度测量

    李弘义谭智勇万文坚曹俊诚...
    356-360页
    查看更多>>摘要：构建和描述了一种用于获取硅片厚度的零差检测系统.利用4.3-THz激光束的传输相变与机械旋转台控制的入射角之间的关系,可以使用标准残差法精确推导被测样品的厚度值.结果表明,样品的厚度拟合值与光学显微镜的精确测量结果仅相差2.5～3 μm,实现了微米级精度的太赫兹无损厚度测量.实验验证了太赫兹量子级联激光器在非接触无损测量中的有效性.

    太赫兹量子级联激光器零差探测无损检测非接触测量

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    基于THz-TDR的芯片金属微带线缺陷检测

    徐振徐德刚刘龙海李吉宁...
    361-370页
    查看更多>>摘要：针对体积小、走线密集、集成度高的封装芯片缺陷检测,目前的主要检测手段存在精度低、周期长等缺点.为弥补传统检测方法的不足,作者结合太赫兹技术与时域反射技术,探究对芯片上金属导线缺陷检测的可行性.首先在不同宽度的金属微带线上加工了不同比例的凸起、凹槽缺陷,模拟集成芯片中金属导线的不完全开/短路等阻抗不匹配情况,利用太赫兹时域反射计采集其时域反射信号.然后根据时域反射脉冲对应的时间分别对不同缺陷程度、不同缺陷类型进行定性分析,并精确计算出了芯片上金属微带线的缺陷位置.最后利用有限元分析法对硅基底上存在缺陷的金属微带线进行仿真分析,与实验结果具有良好的一致性.该研究表明,太赫兹技术与时域反射技术结合能够实现对芯片上金属导线缺陷的诊断检测,为集成芯片的缺陷检测提供了经验参考.

    太赫兹时域反射微带线集成芯片缺陷检测

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