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集成电路应用
集成电路应用

月刊

1674-2583

021-64850700-143

200223

上海宜山路810号

集成电路应用/
查看更多>>本杂志是我国电炉行业唯一一份杂志，更名后内容拓展到了工业炉窑、各种燃烧装置及远红外加热。杂志坚持科学性、先进性、导向性和实用型相统一的原则，报道电炉、工业炉及有关工业加热方面的科研成果和新技术、新材料、新设备、新工艺信息。
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    一种基于电容中和技术的低功耗宽带VGA设计

    陈亚西吴锐梁兴东
    30-32页
    查看更多>>摘要：阐述一种基于电容中和技术的宽带可变增益放大器(VGA),用于高速通信和高分辨率雷达系统.提出的负电容通路有效地拓展了带宽,并在不同的增益设定下实现平坦的带内增益.仿真结果表明,VGA在增益-2.8～49.4dB调节范围内均实现带宽超过4.0GHz.它的功耗在1V的电源电压下为16.5 mW,核心电路面积为0.006 mm2.

    通信和雷达系统可变增益放大器电容中和技术宽带宽增益范围

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    基于宽调谐的低功耗有源集成带通滤波器设计

    徐丹丹胡红钱孙晓锋陈彬...
    33-35页
    查看更多>>摘要：阐述一种具有宽调谐范围、低功耗和小尺寸特点的有源集成带通滤波器设计方案.该方案采用新型有源电感代替传统的无源电感,有效减小滤波器的尺寸和重量.通过改进有源电感电路,提高滤波器的调谐范围,能够满足不同应用场景的需求.该带通滤波器采用65nm CMOS工艺设计.仿真结果表明,滤波器的中心频率可以在2～6GHz范围内调谐,且在此范围内中心频率处的回波损耗S11均小于-20dB.在1.2V电源电压下电路功耗介于1.7～3.1mW之间,版图尺寸为368μm×319μm.

    有源电感CMOS滤波器宽调谐范围低功耗

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    基于开关流图法的Buck-Boost变换器小信号建模分析

    穆向阳贾付森魏思梦王琦...
    36-38页
    查看更多>>摘要：阐述Buck-Boost变换器具有输出纹波低,电压可控等优点,广泛应用于新能源汽车电池发电、直流微电网.建立小信号模型有利于对电路系统主电路的控制和控制回路的设计.分析Buck-Boost变换器,利用开关流图法和信号支路的模型建立变换器的流图,从而推导出变换器的小型号模型.

    Buck-Boost变换器支路模型开关流图法小信号模型

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    数模混合PCB电磁兼容的设计优化分析

    吴可
    39-41页
    查看更多>>摘要：阐述数模混合PCB干扰产生的来源,探讨一种有效解决数模混合PCB设计电磁兼容问题的方法.提出混合信号PCB的设计不仅仅考虑电气连接,还要考虑电磁兼容以及信号完整性等各种问题,并通过设计实例得到验证.

    印刷电路板ADC电磁兼容

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    基于微振镜和双面转镜的三维激光雷达系统设计

    李晨刘科陈帅
    42-44页
    查看更多>>摘要：阐述基于机械式和全固态激光雷达提出一种半固态激光雷达系统,使用MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)微振镜配合转镜实现三维扫描,完成水平视场角120°,垂直视场角10°的扫描范围,水平视场角分辨率为9.2°,垂直视场角分辨率为0.5°,三维扫描面为三角波.由此,为半固态三维激光雷达提出另一种低成本方案.

    激光雷达MEMS微振镜半固态点云

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    典型总线隔离变压器的质量验证方法分析

    李泱王宇石帅吴墨...
    45-47页
    查看更多>>摘要：阐述总线隔离变压器的典型失效模式,提出X光射线检查、温度循环试验,形成针对于总线隔离变压器的质量保证方法.分析表明,在综合评估一段时间后,验证能够有效剔除具有风险的器件,保证器件的可靠性.

    失效模式总线隔离变压器质量保证

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    硅片预清洗处理对LPCVD多晶硅薄膜生长的影响分析

    郭国超姜波
    48-49页
    查看更多>>摘要：阐述不同预清洗条件下,晶片表面化学键状态的变化对LPCVD多晶硅沉积速率和晶粒大小的影响,通过实验优化预清洗条件,实现颗粒数降低,同时保持多晶硅薄膜的晶粒大小和沉积速率的稳定.

    集成电路制造LPCVD多晶硅薄膜预清洗

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    浅沟槽隔离填充的工艺优化分析

    郭国超田守卫
    50-51页
    查看更多>>摘要：阐述浅沟槽结构中SiN厚度对填充效果的影响,发现SiN厚度对浅沟槽填充效果存在拐点,并从机理上解释出现拐点的原因,提出有效深宽比的概念,为优化HDP CVD的沉积工艺提供理论依据.

    集成电路应用浅沟槽隔离填充HDPCVD深宽比

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    HARP-SiCoNi工艺在量产环境下提升高台阶比浅沟道隔离填充能力的研究

    倪立华丁亚钦李宗旭
    52-54页
    查看更多>>摘要：阐述基于量产环境中"高台阶比"的"非标准V型"STI结构,使用传统的HARP和SiCoNi组合工艺研究该结构Void Free的填充方案,并测试HARP预沉积厚度和SiCoNi刻蚀量的工艺窗口,实现量产环境下"高台阶比"的"非标准V型"沟槽Void Free填充.

    集成电路制造STI填充HARPSiCoNiVoid

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    基于热阻网络的高性能贴装设备温控设计和仿真分析

    罗夕琼
    55-57页
    查看更多>>摘要：阐述利用热阻网络对高性能半导体贴装设备温控系统进行应用分析,通过热阻网络的构建能够快速评估出温控台隔热性能、降温速率等性能,给出有效的设计指导建议.通过仿真验证,显示优化后的温控台散热性能均达到设计指标要求,且与热阻网络分析结果接近.利用热阻网络分析方法可快速收敛设计方案.

    集成电路热阻网络贴装设备温控台散热性能

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