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期刊信息/Journal information
微电子学与计算机
微电子学与计算机

李新龙

月刊

1000-7180

MC771@163.com

029-82262687

710054

西安市81号信箱

微电子学与计算机/Journal Microelectronics & ComputerCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊创办于1972年，是我国微电子技术与计算机技术相结合的唯一专业性国家中文核心期刊，同时也是中国计算机学会会刊。本刊的宗旨是，严谨认真，求实创新；以人为本，研以致用；弘扬科学，追求真理。本刊国内公开发行，面向科研院所，厂矿技术人员、院校师生和管理人员，及时提供国内微电子与计算机行业最新科研成果、学术与工程技术动态，是较为实用的参考资料和科学决策的准确依据。
正式出版
收录年代

    一种基于FPGA的实时超分辨率重建算法电路设计

    吕子寒江先阳
    92-99页
    查看更多>>摘要：超分辨率重建是一种可以提高图像分辨率的技术,在监控安防和游戏渲染等领域应用广泛.该技术对硬件有很高的要求,需要使用大量的计算资源.为了解决算力的需求,基于改进双三次插值算法和改进拉普拉斯算法设计了一种超分辨率重建电路,能够将分辨率为 960×540 的低分辨率图片超分辨率放大到 3 840×2 160.基于自建数据集和X4K1000FPS数据集,从主观和客观两个角度对改进的算法进行了评估,并在XC7Z020-2CLG400l的FPGA开发板上对所设计的电路完成了板级验证.实验结果表明,提出的电路在工作时钟频率为 167 MHz时处理一幅图片耗时约 32.7 ms,处理速度能够达到约 30 帧/s,可以满足实时处理的要求,计算速度是一种高效软件计算速度的 4 倍.

    超分辨率重建双三次插值拉普拉斯锐化现场可编程门阵列

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    一种Flash故障检测算法的设计与验证

    唐俊龙杨晟熙邹望辉陈俊杰...
    100-110页
    查看更多>>摘要：随着芯片制造工艺与逻辑复杂度的提升,对非易失性存储部件的要求越来越高.Flash存储部件由于高稳定性和性价比被广泛使用,且以IP形式集成到芯片内部,导致芯片原型样品测试时间成本和资源成本增加.为降低芯片样品测试时间和提高检测Flash的故障覆盖率,提出了一种新的Flash故障算法,通过对Flash存储器不同故障相同部分的敏化序列进行提取,提取内容替换部分March-like算法内容,再加入少量读写操作,达到符合所有故障敏化序列的要求,减少了算法步骤,使Flash存储单元通过自动测试设备(ATE)检测时,提高测试效率和所能探测的故障种类.实验结果表明,该算法在存储器规格一致的情况下,比较于March-like pFlash和March-like算法,测试效率分别提高 39%与 52%,故障覆盖种类分别增加 2 到 3 种.

    Flash故障检测March-like算法Flash故障敏化序列ATE检测

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    自适应高效率LED背光驱动控制电路

    卓启越许新宇周子超邹望辉...
    111-119页
    查看更多>>摘要：针对因LED导通压降不同而产生的额外功率损耗问题,设计了一种带自适应控制的多通道LED背光驱动控制电路,通过自适应控制,最小化线性电流调节器上的电压.基于 0.18 μm BCD工艺搭建了一种适用于自适应控制的线性电流调节器,可实现通道电流 0～48 mA线性可调,电流分辨率为 0.2 mA,不同工艺角以及温度下的全电流范围误差小于 0.1%,版图面积为 0.504 mm2.仿真结果显示,当通道电流为 20 mA时,带自适应控制的三通道LED驱动电路的电源效率为 95.2%,其中线性电流调节器的功率损耗降低了 74%.

    LED驱动自适应控制线性电流调节高效率

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    一种宽电源范围高电源抑制比的LDO设计

    沈俊杰张瑛陈德媛熊天宇...
    120-131页
    查看更多>>摘要：针对工业及汽车电子等领域对输入电压范围、电源噪声抑制能力要求较高的应用场景,设计了一种宽电源范围、高电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)的低压差线性稳压器(Low Dropout Linear Regulator,LDO).提出了一种新型高压预稳压电路,通过负反馈电流以及三极管共源共栅交叉耦合结构,改善了内部低压电源(LV_AVDD)线性调整率以及温漂等性能.同时,通过预稳压电路进一步提高了LDO的PSRR.基于 0.18 μm BCD工艺完成了高压预稳压模块以及LDO环路模块的整体电路搭建,实验结果表明:当电源电压范围为 10～40 V、温度范围为-40～125℃时,LV_AVDD输出 5.574 V,温漂为 1.358×10-5℃-1,线性调整率为 0.763 mV/V;LDO输出电压为 3.325 V,低频电源抑制比达到-120.1 dB.

    宽电源范围高电源抑制比低压差线性稳压器预稳压电路负反馈交叉耦合结构

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    薄硅膜SOI LDMOS器件的HCI劣变机理研究

    顾祥张庆东纪旭明李金航...
    132-138页
    查看更多>>摘要：由于薄硅膜——绝缘体上硅型横向扩散金属氧化物半导体(Silicon On Insulator Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,SOI LDMOS)制作在厚度仅有几十到几百纳米的硅膜上,器件在高电压、大电流的作用下,热载流子注入(Hot Carrier Injection,HCI)效应更为复杂,HCI可靠性受到极大的挑战.研究并探讨了两种结构的15 V SOI LDMOS的热载流子注入劣变机理.采用电荷泵(Charge Pumping)方法测试了界面缺陷产生的特点,当HCI效应发生在沟道区,最大沟道跨导退化明显,饱和驱动电流退化幅度较小,当HCI效应发生在多晶栅边缘,情况刚好相反.通过TCAD仿真研究了器件结构和碰撞电离率分布规律,发现了碰撞电离产生的负电荷对漂移区影响机制,揭示了HCI效应即碰撞电离率最大的位置对SOI LDMOS器件的损伤机理.为薄硅膜SOI LDMOS器件的HCI可靠性设计与优化提供了重要的经验参考.

    绝缘体上硅横向扩散金属氧化物半导体热载流子注入电荷泵缺陷

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    《微电子学与计算机》征稿简则

    封3页
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